Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 5 » Статья стр. 667
<<<>>>
Исследование световой деградации тандемных alpha-Si : H/ mu c-Si : H солнечных фотопреобразователей
Емельянов В.М.1, Абрамов А.С.1,2, Бобыль А.В.1, Гудовских А.С.3, Орехов Д.Л.4, Теруков Е.И.1,2, Тимошина Н.Х.1, Честа О.И.1, Шварц М.З.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Хевел", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
PDF версия
Исследована фотоиндуцированная деградация тандемных alpha-Si : H/mu c-Si : H фотопреобразователей с начальным кпд 10.4% при плотностях потока падающего излучения 1 и 10 кВт/м2 (AM1.5G). Установлено, что стабилизированное состояние достигается после 500 ч экспозиции при стандартной плотности потока излучения или после 300 минут при плотности, повышенной в 10 раз. Cнижение кпд в обоих случаях составило 1.2-1.4 абс%. Из экспериментально измеренных спектральных и вольт-амперных характеристик фотопреобразователей определены значения времен жизни неравновесных носителей заряда и рассчитаны зависимости изменения концентрации свободных (оборванных) связей в слоях i-alpha-Si : H и i-mu c-Si : H. Аппроксимация зависимостей осуществлялась по модифицированной модели плавающих связей. Вычисленные значения концентраций свободных связей при различных длительностях экспозиции использовались при моделировании зависимостей параметров фотопреобразователей от времени светового воздействия. Полученные результаты показали хорошее согласование расчетных темпов деградации тока и кпд тандемного фотопреобразователя с экспериментальными данными.
  1. Photon international (March 2009) p. 170
  2. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop Progr. in Photovolt.: Res. Appl., 20, 606 (2012)
  3. R.R. King, A. Boca, W. Hong, X.-Q. Liu, D. Bhusari, D. Larrabee, K.M. Edmondson, D.C. Law, C.M. Fetzer, S. Mesropian, N.H. Karam. Proc. 24th EU PVSEC (Hamburg, 2009) p. 55
  4. V. Fthenakis, S. Gualtero, R. van der Meulen, Н.С. Kim. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2008) v. 1041, p. 25
  5. С.R. Wronsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (1997) v. 469, p. 7
  6. D.L. Staebler, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., 31, 292 (1977)
  7. A. Kolodziej. Opto-electron. Rev., 12, 21 (2004)
  8. X. Deng, M. Izu, K.L. Narasimhan, S.R. Ovshinsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (1994) v. 336, p. 699
  9. A. Luque, S. Hegedus. Handbook of photovoltaic science and engineering (John Wiley and Sons, 2003), p. 551
  10. W. Luft, B. van Roedem, B. Stafford, L. Mrig. Proc. 23rd IEEE PVSC (1993) v. 93, p. 158
  11. I. Hirabayashi, K. Morigaki, S. Nitta. Jpn. J. Appl. Phys., 19, L357 (1980)
  12. H. Dersch, J. Stuke, J. Beichler. Appl. Phys. Lett., 38, 456 (1981)
  13. M. Stutzmann, W.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 32, 23 (1985)
  14. N. Ishii, M. Kumeda, T. Shimizu. Jpn. J. Appl. Phys., 24, L244 (1985)
  15. D. Redfield, R.H. Bube. Phys. Rev. Lett., 65, 464 (1990)
  16. D. Adler. Solar Cells, 9, 133 (1983)
  17. D. Adler. J. de Phys., 42, C4-3 (1981)
  18. H.M. Branz. Sol. St. Commun., 105, 387 (1998)
  19. H.M. Branz. Phys. Rev. B, 59, 5498 (1999)
  20. H.M. Branz. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 78, 425 (2003)
  21. T. Shimizu, M. Kumeda. Jpn. J. Appl. Phys., 35, L816 (1996)
  22. T. Shimizu, R. Durny, M. Kumeda. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (1996) v. 420, p. 553
  23. T. Shimizu, M. Kumeda. Jpn. J. Appl. Phys., 38, L911 (1999)
  24. R. Biswas, Y.P. Li, B.C. Pan. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2000) v. 609, A3.5
  25. T. Shimizu. Jpn. J. Appl. Phys., 43, 3257 (2004)
  26. J. Liang, E.A. Schiff, S. Guha, B. Yan, J. Yang. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2005) v. 862, A13.6.1
  27. N.H. Nickel, W.B. Jackson. Phys. Rev. B, 51, 4872 (1995)
  28. K.C. Palinginis, J.D. Cohen, S. Guha, J. Yang. Phys. Rev. B, 63, 201 203 (2001)
  29. А.М. Васильев. РЭ, 13, 108 (1968)
  30. В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, М.А. Минтаиров, С.А. Минтаиров, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. Науч.-техн. ведомости СПбГПУ: Физ.-мат. науки, 116, 11 (2011)
  31. K. Ding et al. Sol. Energy Mater. Solar. Cells, 95, 3318 (2011)
  32. S.T. Chang, B.F. Hsieh, Y.C. Liu. Thin Sol. Films, 520, 3369 (2012)
  33. А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые фотопреобразователи (М., Сов. радио, 1971), гл. 2, с. 121

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme