Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига

Корсунская Н.Е.¹, Бачериков Ю.Ю.¹, Стара Т.Р.¹, Кладько В.П.¹, Баран Н.П.¹, Полищук Ю.О.¹, Кучук А.В.¹, Жук А.Г.¹, Венгер Е.Ф.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 16 мая 2012 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами люминесценции, электронного парамагнитного резонанса и рентгеновской дифракции исследованы особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и последующего отжига. Полученный порошок представляет собой микрокристаллы ZnS преимущественно гексагональной фазы, (80±5)%. Установлено, что после синтеза Mn присутствует не только в виде неравномерно распределенной примеси в микрокристаллах ZnS, но также в виде нанокристаллов металлического Mn. Термический отжиг при 800^oC приводит к дополнительному легированию ZnS из металлического Mn, перераспределению внедренного Mn по объему микрокристаллов, а также к окислению ZnS. В то же время соотношение кубической и гексагональной фаз не изменяется. Показано, что отжиг вызывает уменьшение концентрации дефектов, ответственных за полосы возбуждения люминесценции, соответствующие переходам из основного в возбужденные состояния иона Mn²⁺. В результате отжига происходит также изменение размера области когерентного рассеяния рентгеновского излучения и интенсивности пиков в спектре возбуждения люминесценции с длинами волн 375 и 395 нм. Обсуждаются причины этих изменений и природа соответствующих полос.

Л.А Громов, В.А. Трофимов. ЖФХ, 55(10), 2629 (1981)
Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, В.Г. Галстян, Е.М. Гаврищук. ФТП, 42(9), 1039 (2008)
А.М. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров (М., Высш. шк., 1971)
Y.V. Vorobiev, S.J. Sandoval, J.G. Hernandez, S.V. Kozitsky, R.V. Zakharchenko, V.N. Zakharchenko. Superficies y Vacio, 8, 37 (1999)
М.К. Самохвалов, Р.Р. Давыдов. Письма ЖТФ, 28 (24), 58 (2002)
И.Э. Молодецкая, С.В. Козицкий, Д.Д. Полищук. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27 (6), 1142 (1991)
Ю.В. Воробьев, В.Н. Захарченко, С.В. Козицкий. Квант. электрон. (Киев), 4, 73 (1995)
S.V. Kozytckyy, V.P. Pysarskyy, D.D. Polishchuk. Phys. Chem. Sol. State, 4 (4), 749 (2003)
Yu.Yu. Bacherikov, I.S. Golovina, N.V. Kitsyuk, M.A. Mukhlyo, V.E. Rodionov, A.A. Stadnik. J. Func. Mater., 11 (2), 343 (2004)
Н.Д. Борисенко, М.Ф. Буланый, Ф.Ф. Коджеспиров, Б.А. Полежаев. ЖПС, 55, 452 (1991)
М.Ф. Буланый, Б.А. Полежаев, Т.А. Прокофьев, И.М. Черненко. ЖПС, 67, 208 (2000)
Н.Д. Борисенко, Б.А. Полежаев. ЖПС, 53 1020 (1990)
Н.Д. Борисенко, В.И. Клименко, Б.А. Полежаев. ЖПС, 50, 475 (1989)
W. Busse, H. Gumlish, R.O. Tornqvist, V. Tanninen. Phys. Status. Solidi A, 76, 553 (1983)
М.Ф. Буланый, А.А. Горбань, А.В. Коваленко, Б.А. Полежаев, Т.А. Прокофьев. Изв. вузов. Физика, 12, 66 (2002)
W. Busse, H.-E. Gumlich, A. Geoffroy, R. Parrot. Phys. Status Solidi B, 93, 591 (1979)
N. Karar, F. Singh, B.R. Mehta. J. Appl. Phys., 95 (2), 656 (2004)
Н.П. Голубева, М.В. Фок. ЖПС, 17 (2), 261 (1972)
В.Ф. Туницкая, Т.Ф. Филина, Е.И. Панасюк, З.П. Илюхина. ЖПС, 14 (2), 239 (1971)
Физика и химия соединений A²B⁶, под ред. М. Авена, Дж. Пренера (М., Мир, 1970)
Т.В. Бутхузи, А.Н. Георгобиани, Е. Зада-Улы, Б.Т. Эльтазаров, Т.Г. Хулордава. Тр. ФИАН, 182, 140 (1987)
Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Н.Д. Данилевич. ФТП, 43 (2), 174 (2009)
Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
В.Ф. Агекян. ФТТ, 44 (11), 1921 (2002)
Y.T. Nien, I.G. Chen, C.S. Hwang, S.Y. Chu. J. Electroceram., 17, 299 (2006)
T.H. Yeom, Y.H. Lee, T.S. Hahn, M.H. Oh. J. Appl. Phys., 79 (2), 1004 (1996)
М.Ю. Гуткин, Н.К. Дынкин. ФТТ, 54 (4), 750 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель