Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe2, облученных gamma-квантами
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Институт физика Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
2Институт физика Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 3 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
Исследованы эффект переключения, полевые и температурные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов TlGaTe2, подвергнутых gamma-облучению в различных дозах. При сравнительно низких электрических полях в кристаллах наблюдается явление порогового переключения с S-образной вольт-амперной характеристикой, содержащей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. В области критических напряжений наблюдаются осцилляции тока и напряжения, а также наложенная на них модуляция. Обсуждаются возможные механизмы переключения, ионной проводимости, неупорядоченности и электрической неустойчивости в кристалле TlGaTe2.
- Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Ф.Т. Салманов. ФТТ, 53 (8), 1488 (2011)
- Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Э.М. Годжаев, Ф.Т. Салманов. ФТП, 45 (8), 1009 (2011)
- Р.M. Sardarly, O.A. Samedov, A.P. Abdullaev, F.T. Salmanov, A. Urbanovic, F. Garet, J.-L. Coutaz. Jpn. J. Appl. Phys., 50, 05FCO9 (2011)
- Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Ф.Т. Салманов, О.З. Алекперов, Э.К. Гусейнов, Н.А. Алиева. ФТП, 45 (11), 1441 (2011)
- Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Ф.Т. Салманов, Г.Р. Сафарова. ФТП, 44 (5), 610 (2010)
- Л.С. Парфеньева, А.И. Шелых, А.И. Смирнов, А.В. Прокофьев, В. Ассмус. ФТТ, 46 (6), 998 (2004)
- Л.С. Парфеньева, А.И. Шелых, А.И. Смирнов, А.В. Прокофьев, В. Ассмус, Х. Мисиорек, Я. Муха, А. Ежовский, И.Г. Васильева. ФТТ, 45 (11), 1991 (2003)
- А. Лидьярд. Ионная проводимость кристаллов (М., Изд-во ИЛ, 1962)
- С.Ю. Стефанович, Л.А. Иванова, А.В. Астафьев. Ионная и суперионная проводимость в сегнетоэлектриках [Обзор. инф. Сер. Научно-технические прогнозы в области физико-химических исследований (М., НИИТЭХИМ, 1989)]
- V.D. Muller, H.Z. Hahn. Anorg. Allgem. Chem., 438, 258 (1982)
- A.M. Panich, R.M. Sardarly. Physical properties of the low-dimensional A3B6 and A3B3C62 compounds (Nova Science Publishers., Inc., N.Y., 2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
