Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках
Баранский П.И.1, Гайдар Г.П.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.
Предложен метод определения степени компенсации k=Na/Nd для примесей мелкого залегания в кристаллах n-Si с невырожденным электронным газом. Приведены необходимые данные, которые обеспечивают удобство при практическом нахождении степени компенсации.
- P.A. Lee. Brit. J. Appl. Phys., 8, 340 (1957)
- В.О. Баррис, Э.Э. Клотыньш. Определение параметра локального уровня в полупроводниках (Рига, Зинатне, 1978)
- С. Herring. Bell Syst. Techn. J., 34 (2), 237 (1955)
- П.И. Баранский, И.В. Даховский, В.В. Коломоец, А.В. Федосов. ФТП, 10 (7), 1345 (1976)
- П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.