Вышедшие номера
Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках
Баранский П.И.1, Гайдар Г.П.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

Предложен метод определения степени компенсации k=Na/Nd для примесей мелкого залегания в кристаллах n-Si с невырожденным электронным газом. Приведены необходимые данные, которые обеспечивают удобство при практическом нахождении степени компенсации.