Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 10 » Статья стр. 1011
<<<>>>
Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения
DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49936.9421
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100176
Российский научный фонд, Президентская программа исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, №18-79-10161
Комков О.С. 1, Хахулин С.А.1, Фирсов Д.Д. 1, Авдиенко П.С. 2, Седова И.В. 2, Сорокин С.В. 2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: okomkov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 20 мая 2020 г.
Принята к печати: 20 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
PDF версия
При молекулярно-пучковой эпитаксии GaSe на подложках GaAs(001) на гетероинтерфейсе GaSe/GaAs возникают встроенные электрические поля, о наличии которых свидетельствуют наблюдаемые в спектрах фотоотражения осцилляции Франца-Келдыша. Различные значения напряженностей этих полей (от 9.8 до 17.6 кВ/см) могут быть связаны как с диффузией атомов Se в подложку (буферный слой) GaAs, так и c формированием при эпитаксиальном росте переходных субмонослоев. На интерфейсе структур, выращенных на подложках GaAs(111)B и GaAs(112), встроенные поля не наблюдаются, что может быть объяснено меньшей эффективностью проникновения Se в подложку с вышеуказанными ориентациями по сравнению с GaAs(001). Ключевые слова: GaSe, слоистые полупроводники, модуляционная оптическая спектроскопия, молекулярно-пучковая эпитаксия, фотоотражение.
  1. M. Chen, H. Kim, D. Ovchinnikov, A. Kuc, T. Heine, O. Renault, A. Kis. npj 2D Mater. Appl., 2, 2 (2018)
  2. Z. Ben Aziza, V. Zolyomi, H. Henck, D. Pierucci, M.G. Silly, J. Avila, S.J. Magorrian, J. Chaste, Ch. Chen, M. Yoon, K. Xiao, F. Sirotti, M.C. Asensio, E. Lhuillier, M. Eddrief, V.I. Fal'ko, A. Ouerghi. Phys. Rev. B, 98, 115405 (2018)
  3. W. Huang, L. Gan, H. Li, Y. Ma, T. Zhai. Cryst. Eng. Commun., 18, 3968 (2016)
  4. D.J. Late, B. Liu, J. Luo, A. Yan, H.S.S. Ramakrishna Matte, M. Grayson, C.N.R. Rao, V.P. Dravid. Adv. Mater., 24, 3549 (2012)
  5. Y. Zhou, Y. Nie, Y. Liu, K. Yan, J. Hong, Ch. Jin, Yu Zhou, J. Yin, Zh. Liu, H. Peng. ACS Nano, 8, 1485 (2014)
  6. S. Lei, L. Ge, Zh. Liu, S. Najmaei, G. Shi, Ge You, J. Lou, R. Vajtai, P.M. Ajayan. Nano Lett., 13, 2777 (2013)
  7. P. Hu, Z. Wen, L. Wang, P. Tan, K. Xiao. ACS Nano, 6, 5988 (2012)
  8. С.В. Сорокин, П.С. Авдиенко, И.В. Седова, Д.А. Кириленко, М.А. Яговкина, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, С.В. Иванов. ФТП, 53, 1152 (2019)
  9. A. Kuhn, A. Chevy, R. Chevalier. Phys. Status Solidi A, 31, 469 (1975)
  10. Ch.H. Lee, S. Krishnamoorthy, D.J. O'Hara, M.R. Brenner, J.M. Johnson, J.S. Jamison, R.C. Myers, R.K. Kawakami, J. Hwang, S. Rajan. J. Appl. Phys., 121, 094302 (2017)
  11. P.S. Avdienko, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, D.A. Kirilenko, A.N. Smirnov, I.A. Eliseev, V.Yu. Davydov, S.V. Ivanov. Acta Phys. Polon. A, 136, 608 (2019)
  12. A. Koma. J. Cryst. Growth, 201/202, 236 (1999)
  13. N. Kojima, K. Sato, M. Budiman, A. Yamada, M. Konagai, K. Takahashi, Y. Nakamura, O. Nittono. J. Cryst. Growth, 150, 1175 (1995)
  14. J.S. Hwang, C.C. Chang, M.F. Chen, C.C. Chen, K.I. Lin, F.C. Tang, M. Hong, J. Kwo. J. Appl. Phys., 94, 348 (2003)
  15. О.С. Комков, А.Н. Пихтин, Ю.В. Жиляев, Л.М. Фёдоров. Письма ЖТФ, 34, 81 (2008)
  16. X. Yin, H.M. Chen, F.H. Pollak, Y. Chan, P.A. Montano, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. Woodall. J. Vac. Sci. Technol. A, 10, 131 (1992)
  17. D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
  18. О.С. Комков, А.Н. Пихтин, Ю.В. Жиляев. Матер. электрон. техн., 1, 45 (2011)
  19. Z.R. Dai, F.S. Ohuchi. Appl. Phys. Lett., 73, 966 (1998)
  20. Z.R. Dai, S.R. Chegwidden, L.E. Rumaner, F.S. Ohuchi. J. Appl. Phys., 85, 2603 (1999)
  21. А.Н. Пихтин, М.Т. Тодоров. ФТП, 27, 1139 (1993)
  22. T.J.C. Hosea. Phys. Status Solidi B, 189, 531 (1995)
  23. А.Н. Пихтин, О.С. Комков, К.В. Базаров. ФТП, 40 (5), 608 (2006)
  24. T.A. Komissarova, M.V. Lebedev, S.V. Sorokin, G.V. Klimko, I.V. Sedova, S.V. Gronin, K.A. Komissarov, W. Calvet, M.N. Drozdov, S.V. Ivanov. Semicond. Sci. Technol., 32, 045012 (2017)
  25. P.J. Hughes, B.L. Weiss, T.J.C. Hosea. J. Appl. Phys., 77, 6472 (1995)
  26. O.S. Komkov, G.F. Glinskii, A.N. Pikhtin, Y.K. Ramgolam. Phys. Status Solidi A, 206, 842 (2009)
  27. T. Scimeca, Y. Watanabe, R. Berrigan, M. Oshima. Phys. Rev. B, 46, 10201 (1992)
  28. L.E. Rumaner, M.A. Olmstead, F.S. Ohuchi. J. Vac. Sci. Techn. B: Microelectron. and Nanometer Struct. Processing, Measurement and Phenomena, 16 (3), 977 (1998)
  29. A. Ohtake, Sh. Goto, J. Nakamura. Scientific Rep., 8, 1220 (2018)
  30. А.Н. Пихтин, М.Т. Тодоров. ФТП, 28, 1068 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme