Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100036 
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2020 г.
Принята к печати: 22 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
Показано, что описание дисперсионного транспорта ионов H+ на основе модели многократного захвата позволяет количественно описать кинетику образования поверхностных состояний в МОП-структурах после ионизирующего облучения. Проведено моделирование временных зависимостей плотности поверхностных состояний от толщины подзатворного диэлектрика, напряженности и полярности электрического поля. Показано, что кинетика образования поверхностных состояний определяется уровнями локализованных состояний ионов водорода в диапазоне 0.76-0.98 эВ, концентрацией ловушек как в объeме, так и в приграничной к подложке области SiO2 и зависит от начального распределения ионов H+. Ключевые слова: дисперсионный транспорт, МОП-структура, ионизирующее облучение, поверхностные состояния, моделирование.
- T.R. Oldham, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 483 (2003)
- К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения ( М., БИНОМ, 2012)
- О.В. Александров. ФТП, 49 (6), 793 (2015)
- F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 27 (6), 1651 (1980)
- E. Cartier, J.H. Stathis, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 63 (11), 1510 (1993)
- N.S. Saks, D.B. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., 36 (6), 1848 (1989)
- D.B. Brown, N.S. Saks. J. Appl. Phys., 70 (7), 3734 (1991)
- M.R. Shaneyfelt, J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, K.L. Hughes, G.L. Hash, M.P. Connors. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39 (6), 2244 (1992)
- H. Scher, E.W. Montrol. Phys. Rev. B, 12 (6), 2455 (1975)
- J. Noolandi. Phys. Rev. B, 16 (10), 4466 (1977)
- B. Hartenstein, A. Jakobs, K.W. Kehr. Phys. Rev. B, 54 (12), 8574 (1996)
- O.L. Curtis, J.R. Srour. J. Appl. Phys., 48 (9), 3819 (1977)
- Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев. Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС (М., Техносфера, 2003) c. 152
- H.A. Kurtz, S.P. Karna. IEEE Trans. Nucl. Sci., 46 (6), 1574 (1999)
- V.I. Arkhipov, A.I. Rudenko. Phill. Mag. B, 45 (2), 189, 209 (1982)
- S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron Dev., 14 (11), 749 (1967)
- J.J. Tzou, J.Y.-C. Sun, C.-T. Sah. Appl. Phys. Lett., 43 (9), 861 (1983)
- R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1196 (1987)
- В.А. Гуртов, П.А. Райкерус, А.А. Сарен. Зарядоперенос в структурах с диэлектрическими слоями (Петрозаводск, ПетрГУ, 2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
