Структура и оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника As-Ge-Te
Исаев А.И.1, Мамедова Х.И.1, Мехтиева С.И.1, Алекберов Р.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: physics.humay@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 8 июня 2020 г.
Принята к печати: 8 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
Методами рентгеноструктурного анализа, рамановской спектроскопии, измерением оптического пропускания и плотности исследованы структура и оптические свойства пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника As-Ge-Te. Определены основные структурные элементы и химические связи, образующие аморфную матрицу, а также оптическая ширина запрещенной зоны. Полученные результаты объяснены с учетом основных принципов химического упорядочения и параметров ближнего порядка в расположении атомов. Ключевые слова: координационные числа, когезионная энергия, плотности упаковки, компактности.
- A. Zakery, S. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 330 (1-3), 1 (2003)
- J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal. J. Non-Cryst. Sol., 256-257, 6 (1999)
- B.J. Eggleton, B. Luther-Davies, K. Richardson. Nature Photonics, 5, 141 (2011)
- B. Bureau. Solid State Sci., 10, 427 (2008)
- Z.Y. Yang, P. Lucas. J. Am. Ceram. Soc., 92, 2920 (2009)
- А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Х.И. Мамедова, Р.И. Алекберов. ФТП, 11, 1532 (2019)
- А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Х.И. Мамедова1, Р.И. Алекберов. Физика и химия стекла, 46 (1), 64 (2020)
- P. Hawlova, F. Verger, V. Nazabal, R. Boidin, P. Nv emec. Scientific Rep. (Nature Publishing Group), 5, 9310 ( 2015)
- K. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, G. Voyiatzis. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 965(2006)
- S. Sen, E.L. Gjersing, B.G. Aitken. J. Non-Cryst. Sol., 356, 2083 (2010)
- A.S. Pine, G. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 4, 356 (1971)
- H. Krebs, P. Fischer. Discussions of the Faraday Society, 50, 35 (1970)
- M.H. Brodsky, J.E. Smith, Y.Yacoby, R.J. Gambino. Physica Status Solidi B, 52, 609 (1972)
- I. Voleska, J. Akola, P. Jovari, J. Gutwirth, T. Wagner, T. Vasileiadis, S.N. Yannopoulos, R.O. Jones. Phys. Rev. B, 86, 094108 (2012)
- R.T. Ananth Kumar, Hussein A. Mousa, P. Chithra Lekha, Saleh T. Mahmoud, N. Qamhieh. J. Physics: Conf. Ser., 869 , 012018 (2017)
- С. Zha, R.P. Wang, A. Smith, A. Prasad, R.A. Jarvis, B. Lutter-Davies. J. Mater Sci.: Mater. Electron., 18, S389 (2007)
- A.S. Hassanien, A.A. Akl. J. Non-Cryst. Sol., 428, 112 9 (2015)
- L. Tichy, H. Ticha. Mater. Lett., 21, 313 (1994)
- K. Shimakawa. J. Non-Cryst. Sol., 43, 229 (1981)
- Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- L. Tichy, H. Ticha. J. Non-Cryst. Sol., 189, 141 (1995)
- V. Pamukchieva, A. Szekeres, K. Todorova, M. Fabian, E. Svab, Zs. Revay, L. Szentmiklosi. J. Non-Cryst. Sol., 325, 2485 (2009)
- L. Pauling. The Nature of the Chemical Bond (Cornell University Press, Ithaca, N. Y., 1960)
- M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 28, 355 (1972)
- J.P. Deneufville, H. Rockstad. In: J. Stuke, W. Brenig (еds). Amorphous and Liquid Semiconductors (Taylor and Francis, London, 1974) p. 419
- P.S. Giridhar, L. Narasimham, S. Mahadevan. J. Non-Cryst. Sol., 43, 29 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.