Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние ионной обработки на свойства пленок In2O3 : Sn
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия 
2Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
Поступила в редакцию: 1 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.
Представлено изменение свойств пленок ITO, полученных методом реактивного ВЧ магнетронного напыления с одновременной ионной обработкой в зависимости от тока ионной обработки и температуры подложки. Ионная обработка растущей пленки в процессе напыления незначительно меняет относительное количество олова и индия, но существенно увеличивает электропроводность. Пленки, полученные при температуре ниже 50oC без ионной обработки, являются рентгеноаморфными. Ионная обработка и увеличение температуры конденсации приводят к кристаллизации пленок и сдвигу края оптического поглощения в сторону коротких длин волн. Увеличение тока ионной обработки вызывает появление текстуры.
- В.М. Ботнарюк, А.В. Коваль, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, А.В. Симашкевич, Д.А. Шербан. ФТП, 31 (7), 800 (1997)
- Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Ф.В. Лебедев, О.Д. Храмова, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, А.Н. Шатохин, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов. ФТП, 46 (3), 425 (2012)
- В.М. Ветошкин, Р.М. Закирова, П.Н. Крылов, И.А. Суворов. ВТТ, 21 (1), 57 (2011)
- М.В. Захватова, Ф.З. Гильмутдинов, Д.В. Сурнин. ФММ, 104 (2), 166 (2007)
- С.С. Горелик, Ю.А. Скаков, Л.Н. Расторгуев. Рентгенографический и электронно-оптический анализ (М., МИСИС, 2002)
- M. Nisha. Ph.D thesis in the field of material science (Kerala, India, 2006)
- M.K.M. Ali, K. Ibrahim, Osama S. Hamad, M.H. Eisa, M.G. Faraj, F. Azhari. Rom. J. Phys., 56 (5--6), 730 (2011)
- H. Kim, G.M. Gilmore, A. Pique, J.S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z.H. Kafafi, D.B. Chrisey. J. Appl. Phys., 86 (11), 6451 (1999)
- W. Wohlmuth, I. Adesida. Thin Sol. Films, 479, 223 (2005)
- I. Saadeddin. Ph.D thesis in the field of material science (Soutenue, 2007)
- G. Kiriakidis, H. Ouacha, N. Katsarakis. Rev. Adv. Mater. Sci., 4, 32 (2003)
- A. Pokaipisit, M. Horprathum, P. Limsuwan, J. Kasetsart. Nat. Sci., 42, 362 (2008)
- M. Rottmann, H. Henning, B. Ziemer, R. Kalahne, K.H. Heckner. J. Mater. Sci., 31, 6495 (1996)
- Распыление твердых тел ионной бомбардировкой, под ред. Р. Бериша (М., Мир, 1986) вып. II
- Физико-химические свойства окислов, под ред. Г.В. Самсонова (М., Металлургия, 1978)
- H.J. Kim, J.W. Bae, J.S. Kim, K.S. Kim, Y.C. Jang, G.Y. Yeom, N.-E. Lee. Thin Sol. Films, 377--378, 115 (2000)
- M. Girtan, G.I. Rusu. Analele stintifice ale university "Al. I. Guza" Din iasi. s. Fizica Starii Condensate. XLV--XLVI, 166 (1999--2000)
- A.B. Kashyout, M. Fathy, M.B. Soliman. Hindawi Publishing Corporation International Journal of Photoenergy, 2011, Article ID 139374 (2011)
- М.П. Шаскольская. Кристаллография (М., Высш. шк., 1976)
- M. Chen, X. Bai, J. Gong, C. Sun, R. Huang, L. Wen. J. Mater. Sci. Technol., 16 (3), 281 (2000)
- Е.А. Зайцева, Р.М. Закирова, П.Н. Крылов, К.С. Лебедев, И.В. Федотова. Вестн. Удмуртского ун-та, Сер. Физика, химия, N 2 (2012)
- R.A. Ismail, D.N. Raouf, D.F. Raouf. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8 (4), 1443 (2006)
- В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. ФТП, 44 (9), 1212 (2010)
- И.П. Суздалев. Физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов (М., КомКнига. 2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
