Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение гетероперехода Ge-GeS : Nd и исследование спектральной характеристики
Переводная версия: 10.1134/S1063782620110044 
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан 
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: sakin@jinr.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2020 г.
Принята к печати: 23 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.
Исследованы технология получения гетероперехода Ge-GeS : Nd, а также относительные спектральные характеристики квантовой эффективности полученного гетероперехода при разных дозах γ-облучения. Установлено, что при дозе облучения 30 крад фоточувствительность увеличивается в спектральном диапазоне 0.4-2.0 мкм. С увеличением дозы облучения до 100 крад фоточувствительность гетероперехода значительно уменьшается. Ключевые слова: слоистый монокристалл, гетеропереход, фоточувствительность, γ-излучение, квантовая эффективность, спектральная характеристика.
- Д.И. Блецкан, И.Ф. Копинец, П.П. Погорецкий, Е.Н. Салькова, Д.В. Чепур. Кристаллография, 20 (5), 1008 (1975)
- Д.И. Блецкан, В.И. Таран, М.Ю. Сичка. УФЖ, 22 (9), 1436 (1976)
- Р.С. Мадатов, А.С. Алекперов, О.М. Гасанов. Прикл. физика, N 4, 11 (2015)
- Д.И. Блецкан, Н.В. Положинец, Д.В. Чепур. ФТП, 17 (7), 1270 (1983)
- Li. Chun, H. Yang, P.S. Yayafri, Yu. Yifei, C. Lingon. ACS Nano, 6 (9), 8868 (2012)
- K.U. Rajesh, L. Yi-Ying, K. Chia-Yung, R.T. Srinivasa, S. Raman, M.B. Karunakara, Ankur. Nanoscale, 8, 2284 (2016)
- L. Changying, L. Chun, G. Huayang, W. Shuai. J. Mater. Chem., 3, 8074 (2015)
- I. Chen, J.X. Zhao. Sensors, 12, 2414, (2012)
- В.Ф. Мастеров. ФТП, 27 (9), 1435 (1993)
- К. Тейлор, М. Дарби. Физика редкоземельных соединений (М., Мир, 1974)
- R.S. Madatov, A.S. Alekperov, Dzh.A. Maqerramova. Crystallography Reports, 60 (6), 921 (2015)
- В.Т. Мак. ФТП, 30 (2), 292 (1996)
- А.П. Мамонтов, И.П. Чернов. Эффект малых доз ионизирующего излучения (Томск, Дельтаплан, 2009)
- В.М. Андреев. ФТП, 33 (9), 1035 (1999)
- Р.С. Мадатов, А.С. Алекперов, О.М. Гасанов, Р.Б. Байрамов. Прикл. физика, N 5, 76 (2014)
- К.А. Аскеров, А.З. Абасова, Ф.К. Исаев. Прикл. физика, N 4, 94 (2004)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1976)
- Д.И. Блецкан, И.Ф. Копинец, П.П. Погорецкий. Кристаллография, 20 (5), 1008 (1975)
- Д.И. Блецкан. ФТП, 5 (6), 1222 (1980)
- М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, Т.Т. Ковалюк, J. Rappich, M. Gluba. ФТТ, 55 (11), 2123 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
