Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнительные объемные и поверхностные свойства полупроводниковых твердых растворов систем InBV-ZnS
Переводная версия: 10.1134/S1063782620110147 
1Омский государственный технический университет, Омск, Россия 
Email: Kirovskaya@omgtu.ru
Поступила в редакцию: 22 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 25 июня 2020 г.
Принята к печати: 29 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.
В одинаковых условиях изучены объемные (кристаллохимические, структурные) и поверхностные (кислотно-основные) свойства полупроводниковых твердых растворов систем InBV-ZnS, отличающихся бинарными компонентами AIIIBV (InP, InAs). Установлены и обоснованы закономерности изменений изученных свойств с составом, которые носят преимущественно статистический (плавный) характер в системе InP-ZnS и с экстремальными проявлениями в системе InAs-ZnS. Исходные (экспонированные на воздухе) поверхности твердых растворов, как и бинарных компонентов систем, имеют слабокислый характер (pHiso< 7), что позволяет говорить об их повышенной активности по отношению к основным газам. Высказаны и подтверждены соображения о природе активных (кислотно-основных) центров. Установлена связь между поверхностными и объемными свойствами твердых растворов, открывающая возможности прогнозирования и менее затратного поиска новых, эффективных материалов для полупроводникового газового анализа без трудоемких исследований поверхностных свойств. Ключевые слова: полупроводники, твердые растворы, новые материалы, объемные и поверхностные свойства, взаимосвязанные закономерности, полупроводниковый газовый анализ.
- X. Fang, T. Zhai, U.K. Gautam, L. Li, L. Wu, Y. Bando, D. Golderg. Progr. Mater. Sci., 56 (2), 175 (2011)
- И.А. Кировская. Физико-химические свойства бинарных и многокомпонентных алмазоподобных полупроводников (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2015)
- С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. Рентгенографический и электроно-оптический анализ (М., Металлургия, 1970)
- Е.Ф. Смыслов. Завод. лаб. Диагностика материалов, 72 (5), 33 (2006)
- Э.Р. Кларк, К.Н. Эберхардт. Микроскопические методы исследования материалов (М., Техносфера, 2007)
- Дж Гоулдстейн. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Кн. 1 (М., Мир, 1984)
- Л.Г. Майдановская. Каталитические реакции в жидкой фазе (Алма-Ата, Изд-во АН КазССР, 1963)
- И.А. Кировская. Адсорбционные процессы (Иркутск, Изд-во ИГУ, 1995)
- И.А. Кировская, Е.В. Миронова, А.А. Григан, А.О. Мурашова. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1, 74 (2020)
- И.А. Кировская, П.Е. Нор, Е.В. Миронова, Т.А. Кировская. Адсорбенты на основе систем типа AIIBVI -AIIBVI --n- материалы для полупроводникового газового анализа (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2018)
- В.Ф. Киселев. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках (М., Наука, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
