Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
Переводная версия: 10.1134/S1063782620110123 
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 16-12-10106
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Evk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.
Представлены результаты исследования влияния облучения тяжелыми ионами Ar на структурные и оптические характеристики 4H-SiC. Показано, что в результате уже однократного облучения ионами Ar с энергией 53 МэВ, флюенсом 1·1010 см-2 в структуре карбида кремния преобладают как минимум две мощные локальные области с отрицательной деформацией. Наряду с этим в структуре наблюдается также область с положительной деформацией. Формирование локализованных кластеров с отрицательной и положительной деформациями наряду с ненарушенной матрицей сопровождается образованием дефектов линейного типа, частично снимающих напряжения в структуре. Предполагается, что возникающая сложная дефектная структура при облучении ионами Ar обеспечивает эффект геттерирования точечных дефектов и приводит к значениям квантовой эффективности ультрафиолетовых 4H-SiC-фотоприемников на уровне исходных образцов. Ключевые слова: карбид кремния, облучение ионами Ar, квантовая эффективность.
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85 (17), 3780 (2004)
- V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. Appl. Phys. Lett., 110, 083503 (2017)
- L. Storasta, F.H.C. Carisson, S.G. Shidhara, A. Aberg, J.P. Bergman, A. Hallen, E. Jznzen. Mater. Sci. Forum, 353--356, 431 (2001)
- D.M. Martin, H. Kortegaard Nielsen, P. Leveque, A. Hallen. Appl. Phys. Lett., 84 (10), 1704 (2004)
- Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37 (10), 1260 (2003)
- X.D. Chen, S. Fung, C.C. Ling, C.D. Beling. J. Appl. Phys., 94 (5), 3004 (2003)
- Е.В. Калинина, Г.Н. Виолина, И.П. Никитина, М.А. Яговкина, Е.В. Иванова, В.В. Забродский. ФТП, 53 (6), 856 (2019)
- Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А.О. Константинов, А. Hallen, А.Ю. Никифоров, В.А. Скуратов, K. Havancsak. ФТП, 38 (10), 1223 (2004)
- Е.В. Калинина, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А.М. Стрельчук, Г.Н. Виолина. ФТП, 44 (6), 807 (2010)
- Е.В. Калинина, А.А. Лебедев, Е. Богданова, B. Berenquie, L. Ottaviani, Г.Н. Виолина, В.А. Скуратов. ФТП, 49 (4), 550 (2015)
- M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskii. Instrum. Exp. Techn., 4, 477 (2004)
- A. Gottwald, U. Kroth, M. Richter, H. Schoppe, G. Ulm. Meas. Sci. Technol., 21, 125101 (2010)
- F.L. Wong, N.W. Cheung, P.K. Chu. Appl. Phys. Lett., 152, 889 (1988)
- В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках (Н. Новгород, Изд-во Нижегор. гос. ун-та, 2020) ч. 1, гл. 3
- M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 58, 657 (1980)
- A. Fissel, W. Richter, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Appl. Phys. Lett., 78, 2512 (2001)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Cоколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
- W.J. Choyke. In: Proc. Int. Conf. on Radiation Effects in Semiconductors (IOP Conf. Proc. Institute of Physics and Physical Society, London, 1977) p. 58
- T.V. Blank, Y.A. Goldberg, O.V. Konstantinov. Nuclear Instr. Meth. A, 509, 109 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
