Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Новые акцепторные центры фоновых примесей в p-CdZnTe

Пляцко С.В.¹, Рашковецкий Л.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 24 мая 2012 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Низкотемпературная фотолюминесценция была использована для исследования перераспределения фоновых примесей и основных компонентов монокристаллов CdZnTe p-типа проводимости с удельным сопротивлением 1-50 Ом·см при взаимодействии с лазерным инфракрасным излучением. Установлен эффект увеличения ширины запрещенной зоны и образования новых акцепторных центров в результате лазерно-стимулированных изменений в системе собственных дефектов. Найдена энергия активации новых акцепторных уровней.

А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, А.И. Савчук, С.Н. Чупыра. ФТП, 38 (5), 516 (2004)
H.R. Vydyanath, J. Elsworth, J.J. Kennedy, B. Dean, C.J. Johnson, G.T. Neugehauer, J. Sepich, P.C. Liao. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1476 (1992)
Yu.S. Gromovoj, F.F. Sizov, S.V. Plyatsko, S.D. Darchuk. J. Phys.: Condens. Matter, 1, 6625 (1989)
С.В. Пляцко. ФТП, 36 (6), 666 (2002)
С.В. Пляцко, Л.В. Рашковецкий. ФТП, 40 (3), 287 (2006)
T.E. Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon, E.Y. Lee, B.A. Brunet, I. Franks, R.B. James. Mater. Sci. Eng., 32, 103 (2001)
E. Molva, J.R. Chamonal, J.I. Pautrat. Phys. Status Solidi B, 109, 635 (1982)
X. Mathew. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 76, 225 (2003)
D.P. Halliday, M.D.G. Potter, J.T. Mullins, A.W. Brinkman. J. Cryst. Growth, 220, 30 (2000)
S. Seto, K. Suzuki, V.N. Abastillas, jr., K. Inabe. J. Cryst. Growth, 214/215, 974 (2000)
D.M. Hofmann, W. Stadler, K. Oettinger, B.K. Meyer, P. Omling, M. Salk, K.W. Benz, E. Weigel, G. Muller-Vogt. Mater. Sci. Eng. B, 16, 128 (1993)
H.Y. Shin, C.Y. Sun. J. Cryst. Growth, 186, 354 (1998)
S.H. Song, J. Wang, Y. Ishikawa, S. Seto, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 237--239, 1726 (2002)
T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B, 45, 8989 (1992)
К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 37 (2), 159 (2003)
K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 8 (3), 39 (2005)
J. Franc, P. Hlidek, P. Moravec, E. Belas, P. Hoschl, L. Turjanska, R. Varghova. Semicond. Sci. Technol., 15, 561 (2000)
Y. Zidon, J. Yang, Y. Shapira. Apрl. Phys. Lett., 81, 436 (2002)
J.R. Haynes. Phys. Rev. Lett., 4, 361 (1960)
G. Nimtz. In: Intrinsic properties of Group IV Elements and III--V, II--VI and I--VII Compounds, ed. by O. Madelung, M. Schulz, H. Weiss. [ Landolt--Bornstein, New Series, Group III, v. 22, pt. a (Springer, Berlin, 1982)] p. 225
D.M. Hofman, P. Omling, H.G. Grimmeiss, B.K. Meyer, K.W. Benz, D. Sinerius. Phys. Rev. B, 45, 6247 (1992)
Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 862 (1971)
P. Fernandez. J. Optoelectr. Adv. Mater., 5, 369 (2003)
R.B. James, T.E. Schlesinger, J. Lund, M. Schieber. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by T.E. Schlesinger, R.B. James (Academic Press, Inc., 1995) v. 43
J.E. Toney, B.A. Brunett, T.E. Schlesinger, J.M. Van Scyoc, R.B. James, M. Schieber, M. Goorsky, H. Yoon, E. Eissler, C.J. Johnson. Nucl. Instr. Meth. A, 380, 132 (1996)
А.Э. Юнович. В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках (М., Наука, 1972) с. 224
T.A. Kuhn, W. Ossau, A. Waag, R.N. Bicknell-Tassius, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 117, 660 (1992)
А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев, А. Пересторонин, А.Ф. Плотников. ФТП, 34, 19 (2000)
J. Shen, D.K. Aidun, L. Regel, W.R. Wilcox. J. Cryst. Growth, 132, 250 (1993)
J.R. Heffelfinger, D.L. Medlin, R.B. James. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 487, 33 (1998)
K.R. Zanio. In: Semiconductors and Semimetals (N.Y.--San Francisco--London, Academic Press, 1978) v. 13, p. 235
H.G. Brion, C. Mewes, I. Hahn, U. Schaufele. J. Cryst. Growth, 134, 281 (1993)
P. Feychuk, O. Kopyl, I. Pavlovich, L. Shcherbak. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 8 (1), 110 (2005)
P.J. Sellin, A.W. Davies, F. Boroumand, A. Lohstroh, M.E. Ozsan, J. Parkin, M. Veale. ФТП, 41 (4), 411 (2007)
P. Rudolph. Cryst. Res. Technol., 38, 542 (2003)
F. Bissoli, J.L. Weyher, A. Zappettini, M. Zha, L. Zanotti. Cryst. Res. Technol., 40, 1060 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель