Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 12 » Статья стр. 1302
<<<>>>
Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe
DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50229.9497
Переводная версия: 10.1134/S1063782620120258
Мынбаев К.Д. 1, Баженов Н.Л. 1, Смирнов А.М. 2, Михайлов Н.Н. 3, Ремесник В.Г. 3, Якушев М.В. 3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, smirnov.mech@gmail.com, mikhailov@isp.nsc.ru, remesnik@isp.nsc.ru, yakushev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 3 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 10 августа 2020 г.
Принята к печати: 10 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования оптического пропускания, фотопроводимости, фотолюминесценции и рентгеновской дифракции образцов твердых растворов HgCdTe с большим (мольная доля 0.7-0.8) содержанием CdTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии. Показано, что исследованный материал обладал значительной степенью разупорядочения твердого раствора, которая была больше в структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs, в отличие от пленок, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Исследования фотолюминесценции позволили обнаружить состояния в запрещенной зоне, которые ранее считались не типичными для пленок HgCdTe, выращенных на подложках GaAs, а только для пленок, выращенных на Si. В целом подтверждено высокое качество материала с большим содержанием CdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и используемого при создании широко востребованных в настоящее время наноструктур HgTe/HgCdTe. Ключевые слова: HgCdTe, фотолюминесценция, дефекты, структурные свойства.
  1. А. Rogalski. Infrared and Terahertz Detectors, 3rd edn (Boca Raton--London--N. Y., CRC Press, Taylor \& Francis Group, 2019)
  2. G.A. Umana-Membreno, H. Kala, S. Bains, N.D. Akhavan, J. Antoszewski, C.D. Maxey, L. Faraone. J. Electron. Mater., 45, 4686 (2016)
  3. M.М. Kraus, C.R. Becker, S. Scholl, Y.S. Wu, S. Yuan, G. Landwehr. Semicond. Sci. Technol., 8, S62 (1993)
  4. A. Lusson, F. Fuchs, Y. Marfaing. J. Cryst. Growth, 101, 673 (1990)
  5. L. Werner, J.W. Tomm, J. Tilgner, K.H. Herrmann. J. Cryst. Growth, 101, 787 (1990)
  6. R. Legros, R. Triboulet. J. Cryst. Growth, 72, 264 (1985)
  7. B.J. Feldman, J. Bajaj, S.H. Shin. J. Appl. Phys., 55, 3873 (1984)
  8. D. Atkinson, D. Hall, S. Jacobson, I.M. Baker. Astron. J., 155, 220 (2018)
  9. В.В. Уточкин, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, В.И. Гавриленко, Н.С. Куликов, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.В. Морозов. ФТП, 53, 1178 (2019)
  10. S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap et al. APL Materials, 5, 035503 (2017)
  11. В.А. Швец, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, С.А. Дворецкий. Опт. и спектр., 127, 318 (2019)
  12. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45, 900 (2011)
  13. Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
  14. K.E. Mironov, V.K. Ogorodnikov, V.D. Rozumnyi, V.I. Ivanov-Omskii. Phys. Status Solidi A, 78, 125 (1983)
  15. F.-Y. Yue, S.-Y. Ma, J. Hong, P.-X. Yang, C.-B. Jing, Y. Chen, J.-H. Chu, Chin. Phys. B, 28, 017104 (2019)
  16. D.A. Andryushchenko, I.N. Trapeznikova, N.L. Bazhenov, M.A. Yagovkina, K.D. Mynbaev, V.G. Remesnik, V.S. Varavin. J. Phys. Conf. Ser., 1400, 066038 (2019)
  17. D.A. Andryushchenko, N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev, N.N. Mikhailov, V.G. Remesnik. J. Phys. Conf. Ser., 1482, 012002 (2020)
  18. C.R. Becker, V. Latussek, A. Pfeuer-Jeschke, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 62, 10353 (2000)
  19. А.В. Шиляев, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.А. Грешнов. ЖТФ, 87, 419 (2017)
  20. К.Д. Мынбаев, С.В. Заблоцкий, А.В. Шиляев, Н.Л. Баженов, М.В. Якушев, Д.В. Марин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий. ФТП, 50, 208 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme