Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method
Gassoumi Malek1, Mosbahi Hana1, Zaidi Mohamed Ali1, Gaquiere Christophe2, Maaref Hassen1
1Laboratoire de Micro-Optoelectroniques et Nanostructures, Faculte des Sciences de Monastir, Universite de Monastir, Monastir Tunisie
2Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie IEMN, Departement hyperfrequences et Semiconducteurs, Universite des Sciences et Technologies de Lille, Villeneuve d'Ascq Cedex, France
Поступила в редакцию: 25 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.
Device performance and defects in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors have been correlated. The effect of SiN/SiO2 passivation of the surface of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrates is reported on DC characteristics. Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements were performed on the device after the passivation by a (50/100 nm) SiN/SiO2 film. The DLTS spectra from these measurements showed the existence of the same electron trap on the surface of the device.
- Y.F. Wu, B.P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S.P. Denbaars, U.K. Mishr. IEEE Electron. Dev. Lett., 586 (2001)
- C. Lee, H. Wang, J. Yang, L. Witkowski, M. Muir, M.A. Khan, P. Saunier. Electron. Lett., 924 (2002)
- E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N.X. Nguyen, C.N. Nguyen. Electron. Lett., 1022 (1999)
- R. Veturi, N.Q. Zhang, S. Keller, U.K. Mishra. IEEE Trans. Electron. Dev., 560 (2001)
- B.M. Green, K.K. Chu, E.M. Chumbes, J.A. Smart, J.R. Shealy, L.F. Eastman. IEEE Electron. Dev. Lett., 268 (2000)
- Y. Liu, J.A. Bardwell, S.P. McAlister, H. Tang, J.B. Webb, T.W. MacElwee. Phys. Status Solidi A, 188, 233 (2001)
- C. Lee, L. Witkowski, M. Muir, H.Q. Tsering, P. Saunier, H. Wang, J. Yang, M.A. Khan. In: Proc. Lester Eastman Conf. High Performance Devices (Newark, DE, 2002)
- H. Kim, V. Tilak, B.M. Green, J.A. Smart, W.J. Schaff, J.R. Shealy, L.F. Eastman. Phys. Status Solidi A, 188, 203 (2001)
- M. Gassoumi, B. Grimbert, C. Gaquiere, H. Maaref. Semiconductors, 46, 382 (2012)
- J.C. Zolper. Tech. Dig. IEDM 16.1.1, 389 (1999)
- M. Zazoui, S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Semicond. Sci. Techn., 6, 973 (1991)
- J. Criado, A.I. Gomez, E. Calleja, E. Munoz. Appl. Phys. Lett., 52, 660 (1988)
- A. Hierro, A.R. Arehart, B. Heying. Phys. Status Solidi B, 228, 309 (2001)
- L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht. Phys. Rev. Lett., 93, 196 401 (2004)
- M. Gassoumi. J. Optoelectron. Adv. Mater., 11, 1713 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук