Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тонкопленочные барорезисторы на основе твердых растворов Sm_1-xGd_xS

DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50380.9440

Переводная версия: 10.1134/S1063782621010103

Каминский В.В.¹, Соловьев С.М.¹, Степанов Н.Н.¹, Каменская Г.А.¹, Хавров Г.Д.^1,2, Александров С.Е.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: serge.soloviev@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 1 июня 2020 г.

В окончательной редакции: 7 сентября 2020 г.

Принята к печати: 14 сентября 2020 г.

Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние концентрации Gd на температурный и барический коэффициенты электросопротивления тонких поликристаллических пленок твердых растворов системы Sm_1-xGd_xS, где x=0, 0.05, 0.1, 0.2, 0.33 и 0.5. Пленки изготовлены методом взрывного испарения в вакууме порошков исходных соединений и седиментацией последних из газовой фазы на стеклянные подложки. Получены зависимости температурного alpha и барического beta коэффициентов электросопротивления, а также их отношения γ от концентрации x Gd в системе твердых растворов SmS-GdS, на основании которых определены оптимальные составы для изготовления тонкопленочных тензо- и барорезисторов. Ключевые слова: тензо- и барорезистор, содержание Sm и Gd, моносульфид самария, температурный и барический коэффициенты электросопротивления.

В.В. Каминский, М.В. Романова, А.В. Голубков, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. А. с. N 1407132. Приоритет изобретения 16.04.1985
В.В. Каминский, Н.М. Володин, С.М. Соловьев, Ю.Н. Мишин, Н.В. Шаренкова. Вестн. "НПО им. С.А. Лавочкина", 2, 26 (2013)
В.В. Каминский, С.М. Соловьев, Г.Д. Хавров, Н.В. Шаренкова. ФТП, 52 (1), 45 (2018)
Е.С. Ицкевич. ПТЭ, 3, 6 (1999)
А.С. Кириченко, А.В. Корнилов, В.М. Пудалов. ПТЭ, 6, 121 (2005)
В.С. Оскотский, И.А. Смирнов. В кн.: Редкоземельные полупроводники, отв. ред. В.П. Жузе, И.А. Смирнов (Л., Наука. Ленингр. отд-ние, 1977) с. 105

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель