Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/p+-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод
Карева Г.Г.1, Векслер М.И.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
Для исследования и разработки новой компонентной базы кремниевой электроники проведен анализ электрофизических явлений в структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) при переводе ее размерных параметров в нанометровый диапазон благодаря увеличению уровня легирования дырочного Si до NA~ 1019 см-3 и уменьшению толщины окисла до 0.4-4.0 нм. В результате становится возможным с помощью относительно небольшого (единицы вольт) запирающего напряжения создать необходимые и достаточные условия для резонансного туннелирования электронов. Это приводит к трансформации МДП конденсатора в резонансно-туннельный диод, которая сопровождается принципиальным расширением свойств и функций МДП наноструктуры.
- J. Robertson. Rep. Progr. Phys., 69 (2), 327 (2006)
- V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev, S.Y. Yoon, Jo-Won Lee, E.-H. Lee, C.W. Kim. Solid-State Electron., 47 (10), 1651 (2003)
- В.Д. Калганов, Н.В. Милешкина, Е.В. Остроумова. ФТП, 37 (3), 372 (2003)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
- F. Capasso, K. Mohammed, A.Y. Cho. IEEE J. Quant. Electron., QE-22 (9), 1853 (1986)
- F. Capasso, S. Sen, F. Beltram. In: High-Speed Semiconductor Devices, ed. by S.M. Sze. (N.Y., Wiley, 1990) p. 465
- S. Watanabe, M. Maeda, T. Sugisaki, K. Tsutsui. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (4B), 2637 (2005)
- Г.Г. Карева. ФТП, 33 (8), 969 (1999)
- G.G. Kareva, M.I. Vexler, I.V. Grekhov, A.F. Shulekin. Proc. 10th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology" (St.Petersburg, 2002) p. 570
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
- А.С. Тагер, Электрон. техн., сер. 1. Электроника СВЧ, вып. 9 (403), 21 (1987)
- Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, P. Velling, E. Khorenko, W. Prost, F.J. Tegude. ФТП, 41 (2), 233 (2007)
- М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, Ю.Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, В.В. Федоров, Д.В. Исаков. ФТП, 47 (5), 675 (2013)
- E. Cartier, J.C. Tsang, M.V. Fischetti, D.A. Buchanan. Microelectron. Eng., 36 (1--4), 103 (1997)
- R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22 (11), 562 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
