Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование свойств солнечных элементов на основе a-Si : H-p-i-n-структур с помощью спектроскопии полной проводимости

Гудовских А.С.¹, Абрамов А.С.^2,3, Бобыль А.В.², Вербицкий В.Н.², Зеленцов К.С.¹, Ершенко Е.М.², Кудряшов Д.А.¹, Кудряшов C.А.¹, Монастыренко А.О.¹, Терра А.Р.¹, Теруков Е.И.^2,3

¹Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия.

Поступила в редакцию: 24 декабря 2012 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования свойств солнечных элементов на основе a-Si : H-p-i-n-структур с помощью метода спектроскопии полной проводимости. В спектрах полной проводимости выделены отклики плотности состояний в слоях (i)a-Si : H и находящихся в p-области структуры слоях a-SiС : H. Оценка величины плотности состояний в середине щели подвижности (i)a-Si : H дала значение 5 · 10¹⁶ cм^-3·эВ^-1. Показано, что в процессе фотоиндуцированной деградации происходит рост этой величины до значений ~ 10¹⁷ cм^-3·эВ^-1. Для широкозонных слоев a-SiC : H наблюдавшийся отклик плотности состояний в хвостах валентной зоны позволил дать оценку нижней границы этой величины на уровне Ферми (10¹⁸ cм^-3·эВ^-1) и определить его положение: на 0.4 эВ выше края валентной зоны. Предложенная методика может быть использована для оптимизации конструкции солнечных элементов с целью повышения их кпд.

C.R. Wronski, S. Lee, M. Hicks, S. Kumar. Phys. Rev. Lett., 63, 1420 (1989)
А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
H.G. Grimmeiss, L.A. Ledebo. J. Appl. Phys., 46, 2155 (1975)
M. Vanecek, A. Abraham, O. Stika, J. Stuchli k, J. Kocka. Phys. Status Solidi A, 83, 617 (1984)
R. Bruggemann, J.P. Kleider. Thin Sol. Films, 403-404, 30 (2002)
D.L. Losee. J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975)
D.V. Lang, J.D. Cohen, J.P. Harbison. Phys. Rev. B, 25, 5285 (1982)
J.P. Kleider. Thin Sol. Films, 427, 127 (2003)
R. Stangl, M. Kriegel, M. Schmidt. Proc. 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion IEEE (Hawaii, USA, 2006) p. 1350
Y. Poissant, P. Chatterjee, P. Roca i Cabarrocas. J. Appl. Phys., 94, 7305 (2003)
A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, R. Chouffot, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.M. Lantratov. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 165 307 (2009)
X.D. Liu, E.Y. Jiang, Z.Q. Li. J. Appl. Phys., 102, 073 708 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель