Исследование свойств солнечных элементов на основе a-Si : H-p-i-n-структур с помощью спектроскопии полной проводимости
Гудовских А.С.1, Абрамов А.С.2,3, Бобыль А.В.2, Вербицкий В.Н.2, Зеленцов К.С.1, Ершенко Е.М.2, Кудряшов Д.А.1, Кудряшов C.А.1, Монастыренко А.О.1, Терра А.Р.1, Теруков Е.И.2,3
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
Проведены исследования свойств солнечных элементов на основе a-Si : H-p-i-n-структур с помощью метода спектроскопии полной проводимости. В спектрах полной проводимости выделены отклики плотности состояний в слоях (i)a-Si : H и находящихся в p-области структуры слоях a-SiС : H. Оценка величины плотности состояний в середине щели подвижности (i)a-Si : H дала значение 5 · 1016 cм-3·эВ-1. Показано, что в процессе фотоиндуцированной деградации происходит рост этой величины до значений ~ 1017 cм-3·эВ-1. Для широкозонных слоев a-SiC : H наблюдавшийся отклик плотности состояний в хвостах валентной зоны позволил дать оценку нижней границы этой величины на уровне Ферми (1018 cм-3·эВ-1) и определить его положение: на 0.4 эВ выше края валентной зоны. Предложенная методика может быть использована для оптимизации конструкции солнечных элементов с целью повышения их кпд.
- C.R. Wronski, S. Lee, M. Hicks, S. Kumar. Phys. Rev. Lett., 63, 1420 (1989)
- А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
- H.G. Grimmeiss, L.A. Ledebo. J. Appl. Phys., 46, 2155 (1975)
- M. Vanecek, A. Abraham, O. Stika, J. Stuchli k, J. Kocka. Phys. Status Solidi A, 83, 617 (1984)
- R. Bruggemann, J.P. Kleider. Thin Sol. Films, 403-404, 30 (2002)
- D.L. Losee. J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975)
- D.V. Lang, J.D. Cohen, J.P. Harbison. Phys. Rev. B, 25, 5285 (1982)
- J.P. Kleider. Thin Sol. Films, 427, 127 (2003)
- R. Stangl, M. Kriegel, M. Schmidt. Proc. 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion IEEE (Hawaii, USA, 2006) p. 1350
- Y. Poissant, P. Chatterjee, P. Roca i Cabarrocas. J. Appl. Phys., 94, 7305 (2003)
- A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, R. Chouffot, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.M. Lantratov. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 165 307 (2009)
- X.D. Liu, E.Y. Jiang, Z.Q. Li. J. Appl. Phys., 102, 073 708 (2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
