Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением

Калыгина В.М.¹, Вишникина В.В.¹, Зарубин А.Н.¹, Новиков В.А.¹, Петрова Ю.С.¹, Толбанов О.П.¹, Тяжев А.В.¹, Цупий С.Ю.¹, Яскевич Т.М.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 20 декабря 2012 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние температуры отжига на вольт-амперные, вольт-фарадные, вольт-сименсные характеристики и прозрачность пленок оксида галлия. Пленки получали термическим испарением порошка Ga₂O₃ с осаждением на пластины n-GaAs. Показано, что аморфные после напыления пленки кристаллизуются в результате отжига при температурах T_an≥800^oC. Электрические характеристики и фотоотклик образцов V/Ni-GaAs-Ga_xO_y-V/Ni при воздействии излучением видимого диапазона зависят от структуры и фазового состава пленок оксида галлия.

Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, S. Nakagomi. Appl. Phys. Lett., 90, 031 912 (2007)
R. Suzuki, S. Nakagomi, Y. Kokubun, N. Arai, S. Ohira. Appl. Phys. Lett., 94, 22 102 (2009)
M. Orita, H. Ohta, M. Hirano. Appl. Phys. Lett., 77, 4166 (2000)
T. Oshima, S. Fujita. Phys. Status Solidi C, 5, 3113 (2008)
G.X. Liu, F.K. Shan, W.J. Lee, B.C. Shin, S.C. Kim, H.S. Kim, C.R. Cho. Integr. Ferroelectr., 94, 11 (2007)
J. Han, K.H. Yoon. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 20, 879 (2009)
В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 46, 278 (2012)
В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 1130 (2011)
M. Orita, H. Ohta, M. Hirano. Appl. Phys. Lett., 77, 4166 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель