Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+
Переводная версия: 10.1134/S1063782621030179 
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Institute of Ion-Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Center Dresden. Rossendorf, Dresden, Germany
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Institute of Ion-Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Center Dresden. Rossendorf, Dresden, Germany
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 27 ноября 2020 г.
Принята к печати: 27 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.
Изучена диффузия атомов индия в пленках SiO2, предварительно имплантированных ионами мышьяка с разной энергией, в зависимости от температуры последующего отжига. Установлено, что диффузионные свойства индия зависят от присутствия в пленке атомов мышьяка и их энергии. Увеличение концентрации мышьяка в области средних пробегов ионов In+ предотвращает диффузию индия к поверхности SiO2 при высоких температурах отжига и стимулирует диффузию In вглубь в форме одновалентного междоузлия. Обнаруженные эффекты объяснены с точки зрения формирования пар In-As в соседних замещающих положениях в матрице SiO2. Ключевые слова: индий, мышьяк, диффузия, оксид кремния, ионная имплантация.
- A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 56, 2708 (1984)
- A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 1872 (1985)
- A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 5220 (1985)
- A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 61, 993 (1987)
- H. Ko, K. Takei, R. Kapadia, S. Chuang, H. Fang, P.W. Leu, K. Ganapathi, E. Plis, H.S. Kim, S.-Y. Chen, M. Madsen, A.C. Ford, Y.-L. Chueh, S. Krishna, S. Salahuddin, A. Javey. Nature, 468, 286 (2010)
- A.C. Ford, C.W. Yeung, S. Chuang, H.S. Kim, E. Plis, S. Krishna, C. Hu, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 98. 113105 (2011)
- K. Takei, R. Kapadia, H. Fang, E. Plis, S. Krishna, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 102, 153513 (2013)
- S. Prucnal, Sh. Zhou, X. Ou, S. Facsko, M.O. Liedke, F. Bregolin, B. Liedke, J. Grebing, M. Fritzsche, R. Hubner, A. Mucklich, L. Rebohle, M. Helm, M. Turek, A. Drozdziel, W. Skorupa. J. Appl. Phys., 115, 074306 (2014)
- S. Prucnal, M. Turek, A. Drozdziel, K. Pyszniak, S.Q. Zhou, A. Kanjilal, W. Skorupa, J. Zuk. Appl. Phys. B, 101, 315 (2010)
- F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, W. Wesch, E. Wendler, J. Zuk, I. Parkhomenko. Mat. Sci. Eng. B, 178, 1169 (2013)
- И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. ФТП, 48, 1228 (2014)
- И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 53, 1023 (2019)
- C. Jeynes, N.P. Barradas, P.K. Marriott, G. Boudreault, M. Jenkin, E. Wendler, R.P. Webb. J. Phys. D: Appl. Phys., 36, R97 (2003)
- H. Ryssel, I. Ruge. Ion implantation (Wiley, Chichester, 1986) p. 478
- G.K. Celler, L.E. Trimble, K.W. West, L. Pfeiffer, T.T. Sheng. Appl. Phys. Lett., 50, 664 (1987)
- T. Yamaji, F. Ichikawa. J. Appl. Phys., 64, 2365 (1988)
- R. Singh, M. Maier, H. Krautle, D.R. Young, P. Balk. J. Electrochem. Soc., 131, 2645 (1984)
- T.E. Tsai, D.L. Griscom. Phys. Rev. Lett., 67, 2517 (1991)
- S.Yi. Shiryaev, A.N. Larsen, M. Deicher. J. Appl. Phys., 72, 410 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
