Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Локальная трибоэлектризация поверхности n-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа

Брунков П.Н.¹, Гончаров В.В.¹, Рудинский М.Э.¹, Гуткин А.А.¹, Гордеев Н.Ю.¹, Лантратов В.М.¹, Калюжный Н.А.¹, Минтаиров С.А.¹, Соколов Р.В.¹, Конни ков С.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 января 2013 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью метода сканирующей кельвин-зондовой микроскопии показано, что при взаимодействии зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью n-GaAs наблюдается эффект трибоэлектризации. Знак изменения потенциала указывает на то, что поверхность образца после трибоэлектризации становится заряженной более отрицательно. Обнаруженные закономерности этого эффекта качественно могут быть объяснены термически активированной генерацией точечных дефектов в приповерхностных слоях образца, деформированных из-за взаимодействия с зондом.

D.J. Lacks, R.M. Sankaran. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 453 001 (2011)
B.D. Terris, J.E. Stern, D. Rugar, H.J. Mamin. Phys. Rev. Lett., 63, 2669 (1989)
D. DeVecchio, B. Bhushan. Rev. Sci. Instrum., 69, 3618 (1998)
B. Bhushan, A.V. Goldade. Wear, 244, 104 (2000)
J.Y. Son, G. Lee. Appl. Phys. Lett., 93, 173 105 (2008)
H. Sun, H. Chu, J. Wang, L. Ding. Y. Li. Appl. Phys. Lett., 96, 083 112 (2010)
J. Krim, D.H. Solina, R. Chiarello. Phys. Rev. Lett., 66, 181 (1991)
B. Bhushan, J.N. Israelachvili, U. Landman. Nature, 374, 607 (1994)
Handbook of Micro/Nanotribology, ed. by B. Bhushan (CRC, Boca Raton, Florida, 1995)
http://www.brukerafmprobes.com
Y. Martin, D.W. Abraham, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 52, 1103 (1988)
M. Nonnenmacher, M.P. O'Boyle, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 58, 2921 (1991)
A.I. Livshits, A.L. Shluger. Phys. Rev. B, 56, 12 482 (1997)
U. Landman, W.D. Luetke, M.W. Ribarsky. J. Vacuum Sci. Technol. A, 7, 2829 (1989)
U. Landman, W.D. Luetke, E.M. Ringer. Wear, 153, 3 (1992)
T.-C. Chang, R. Ludeke, M. Aono, G. Landgren, F. J. Himpsel, D.E. Eastman. Phys. Rev. B, 27, 4770 (1983)
G.S. Chang, W.C. Hwang, Y.C. Wang, Z.P. Yang, J.S. Hwang. J. Appl. Phys., 86, 1765 (1999)
J.S. Hwang, C.C. Chang, M.F. Chen, C.C. Chen, K.I. Lin, F.O. Chang. J. Appl. Phys., 94, 348 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель