Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 9 » Статья стр. 1191
<<<>>>
Механизм формирования контактного сопротивления к A3N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Жиляев Ю.В.3, Капитанчук Л.М.4, Кладько В.П.1, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Наумов А.В.1, Пантелеев В.Н.3, Шеремет В.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 29 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.
PDF версия
Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc(T) омических контактов Pd-Ti-Pd-Au к широкозонным полупроводникам n-GaN и n-AlN с высокой плотностью дислокаций. На зависимостях rhoc(T) для обеих контактных систем наблюдаются участки экспоненциального спада rhoc(T), а также участки весьма слабой зависимости rhoc(T) при более высоких температурах. Кроме того, в низкотемпературной области для контакта Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN наблюдается участок насыщения rhoc(T). Этот участок появляется только после быстрого термического отжига. В принципе появление участка насыщения может быть связано как с предварительным сильным легированием приконтактной области мелкой донорной примесью, так и с легированием в процессе получения контакта в результате быстрого термического отжига, если в состав контактообразующего слоя входит материал, являющийся мелким донором в A3N. Полученные зависимости не объясняются существующими механизмами токопереноса. Предложены вероятные механизмы объяснения экспериментальных зависимостей rhoc(T) для омических контактов к n-GaN и n-AlN.
  1. H. Morkoc. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (Wiley-VCH, Verlag GmbH\&Co KGaA, Weinheim, 2008)
  2. F.E. Shubert. Light-emitting diodes (Cambridge University Press, 2006)
  3. Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
  4. R. Quay. Gallium Nitride Electronics (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2008)
  5. А.Г. Васильев, Ю.В. Колковский, Ю.А. Концевой. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках (М., Техносфера, 2011)
  6. Technology of Gallium Nitride Crystal Growth, ed. by D. Ehrentraut, E. Meissner, M. Bockowski (Springer Verlag, Berlin, 2010)
  7. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. (John Wiley and Sons, 2007)
  8. Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M.Levinshtein, S.Rumyantsev, M.Shur (N.Y., John Wiley and Sons, 2001)
  9. В.А. Солтамов, И.В. Ильин, А.А. Солтамова, Ю.Н. Макаров, Е.Н. Мохов, П.Г. Баранов. Тез. докл. 8-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2011), с. 233
  10. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  11. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
  12. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 43 (9), 1204 (2009)
  13. Сhin-Yuan Hsu, Wen-How Lan, Yew Chung Sermon Wu. Jap. J. Appl. Phys., 44 (10), 7424 (2005)
  14. А.В. Саченко, А.Е. Беляев, А.В. Бобыль, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Л.М. Капитанчук, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, И.С. Тарасов, В.Н. Шеремет, М.Я. Яговкина. ФТП, 46 (3), 348 (2012)
  15. A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, Yu.V. Zhilyaev, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.N. Panteleev, V.N. Sheremet. Abstract book 4th Int. Symp. Growth of III-Nitrides (St. Petersburg, Russia, 2012), p. 278
  16. A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, S.V. Novitskii, V.N. Sheremet, J. Li, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys., 111 (8), 083 701 (2012)
  17. В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
  18. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев, С.Н. Родин, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин. Тез. докл. 8-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2011) с. 200
  19. Ю.В. Жиляев, С.Н. Родин. Письма в ЖТФ, 36 (9), 11 (2010)
  20. D.K. Schroder. Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New Jersey, 2006)
  21. S. Noor Mohmmad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7970 (2004)
  22. A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov. SPQEO, 10 (4), 1 (2007)
  23. Y. Imry. Introduction to mesoskopic physics (Oxford, University Press, 2002)
  24. Б.И. Шкловский, А.Л. Ефрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme