Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронная микроскопия структур на основе GaAs с квантовыми точками InAs и As, разделенными барьером AlAs

Неведомский В.Н.¹, Берт Н.А.¹, Чалдышев В.В.¹, Преображенский В.В.², Путято М.А.², Семягин Б.Р.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 24 декабря 2012 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены электронно-микроскопические исследования структур на основе GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащих массивы полупроводниковых квантовых точек InAs и металлических квантовых точек As. Массив квантовых точек InAs формировался по механизму Странского-Крастанова и состоял из вертикально-сопряженных пар квантовых точек, разделенных спейсером GaAs толщиной 10 нм. Для разделения массивов полупроводниковых и металлических квантовых точек и предотвращения диффузионного перемешивания массив квантовых точек InAs заращивался барьерным слоем AlAs толщиной 5 или 10 нм, после чего проводилось наращивание слоя GaAs при низкой температуре (180^oC). Массив квантовых точек As формировался в обогащенном мышьяком слое низкотемпературного GaAs путем послеростовых отжигов при температурах 400-760^oC в течение 15 мин. Установлено, что барьерный слой AlAs имеет рельеф поверхности, соответствующий рельефу подбарьерного слоя с квантовыми точками InAs. Наличие такого рельефа вызывало формирование V-образных дефектов структуры при последующем заращивании слоем GaAs. Кроме того, обнаружено, что слой AlAs истончается на вершинах квантовых точек InAs. Показано, что в областях между квантовыми точками InAs барьерный слой AlAs эффективно препятствует исходящей диффузии избыточного As при температурах отжига до 600^oC. Однако концентрация механических напряжений и пониженная толщина барьерного слоя AlAs вблизи вершин квантовых точек InAs приводят к локальным прорывам барьера и диффузии квантовых точек As в область сопряженных пар квантовых точек InAs при более высоких температурах отжига.

V.M. Shalaev. Nature Photonics, 1 (1), 41 (2007)
M. Achermann. J. Phys. Chem. Lett., 1 (19), 2837 (2010)
M.T. Cheng, S.D. Liu, H.J. Zhou, Z.H. Hao, Q.Q. Wang. Optics Lett., 32 (15), 2125 (2007)
W. Zhang, A.O. Govorov, G.W. Bryant. Phys. Rev. Lett., 97, 146 804 (2006)
H.A. Atwater, A. Polman. Nature Materials, 9 (3), 205 (2010)
T.D. Ladd, F. Jelezko, R. Laflamme, Y. Nakamura, C. Monroe, J.L. O'Brien. Nature, 464 (7285), 45 (2010)
B.H. Kim, C.H. Cho, J.S. Mun, M.K. Kwon, T.Y. Park, J.S. Kim, C.C. Byeon, J. Lee, S.J. Park. Advanced Mater., 20 (16), 3100 (2008)
M.L. Andersen, S. Stobbe, A.S. S rensen, P. Lodahl. Nature Phys. Lett., 7, 215 (2010)
I.N. Stranski, L. Krastanow. Monatshefte fur Chemie, 71 (1), 351 (1937)
Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N.P. Kobayashi. Phys. Rev. Lett., 75 (13), 2542 (1995)
M.R. Melloch, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren, J.L. Freeouf. Appl. Phys. Lett., 57 (15), 1531 (1990)
Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35 (10), 2609 (1993)
В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43 (12), 1662 (2009)
Н.А. Берт, А.Л. Колесникова, В.Н. Неведомский, В.В. Преображенский, М.А. Путято, А.Е. Романов, В.М. Селезнев, Б.Р. Семягин, В.В. Чалдышев. ФТП, 43 (10), 1426 (2009)
В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 45 (12), 1642 (2011)
N.A. Cherkashin, A. Claverie, C. Bonafos, V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. J. Appl. Phys., 102, 023 520 (2007)
Q. Xie, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 65, 2051 (1994)
A.F. Tsatsul'nikov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, Yu.M. Shernyakov, Yu.G. Musikhin, V.M. Ustinov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.M. Mintairov, J.L. Merz, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. J. Appl. Phys., 88, 6272 (2000)
C.M. Tey, H.Y. Liu, A.G. Cullis, I.M. Ross, M. Hopkinson. J. Cryst. Growth, 285, 17 (2005)
K. Sears, J. Wong-Leung, H.H. Tan, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 99, 113 503 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель