Вышедшие номера
Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), фундаментальные научные исследования, 20-08-00096
Бессолов В.Н. 1, Коненкова Е.В. 1, Родин С.Н.1, Кибалов Д.С.2, Смирнов В.К.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия
Email: bes@triat.ioffe.ru, lena@triat.ioffe.rssi.ru, bes@triat.mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 30 ноября 2020 г.
Принята к печати: 30 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.

Проведены исследования эпитаксиального роста слоев AlN и GaN при использовании метода газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов <100 нм (подложка NP-Si(100)). Показано, что в процессе образования слоя полуполярного AlN на начальной стадии эпитаксии при коалесценции формируется гофрированная поверхность из полуполярных плоскостей AlN(10() 1 1) с противонаправленными осями симметрии c. Затем в процессе роста слоя GaN осуществляется переход из симметричного состояния с двумя полуполярными плоскостями AlN в асимметричное состояние с единой ориентацией оси c слоя полуполярного GaN(10() 1 1), причем направление c в растущем полуполярном слое совпадает с направлением потока ионов N2+ на поверхность кремния при образовании наномаски. Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, переход от двух полуполярных плоскостей к единой ориентации слоя.