Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова
Министерство науки и высшего образования РФ , 0791-2020-0004
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: kudryashovda@spbau.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 7 декабря 2020 г.
Принята к печати: 7 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.
Показано влияние относительного расположения магнетрона и подложки на электрические и оптические свойства формирующегося слоя оксида индия-олова (ITO). Рассмотрены причины данного поведения и показана роль кислорода в возникновении неоднородности свойств пленок ITO. Показано, что в режиме роста без дополнительного добавления кислорода удельное сопротивление пленок ITO различается на порядок ((2-14)·10-2 Ом · см) при различном расположении подложки на подложкодержателе вдоль радиуса в диапазоне 0-14 см. На спектрах поглощения при этом наблюдаются различия в форме коротковолновой области спектра. Добавление незначительного (0.1 ст. см3/мин) количества кислорода в рабочую камеру в процессе роста оксида приводит к значительному повышению однородности электрических и оптических свойств ITO. Ключевые слова: магнетронное распыление, оксид индия-олова, тонкие пленки.
- H. Kim, C.M. Gilmore, A. Pique, J.S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z.H. Kafafi, D.B. Chrisey. J. Appl. Phys., 86 (11), 6451 (1999)
- V.S. Kaluba, K. Mohamad, P. Ferrer. Appl. Energy, 257, 114020 (2020)
- S. Swann. Phys Technol., 19 (2), 67 (1988)
- J.H. Shin, S.H. Shin J.I. Park, H.H. Kim. J. Appl. Phys., 89 (9), 5199 (2001)
- M.M. Aliyu, S. Hossain, J. Husna, N. Dhar, M.Q. Huda, K. Sopian, N. Amin. Proc. 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Austin, TX, USA, 2012) p. 002009
- W. Deng, T. Ohgi, H. Nejo, D. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 40, 3364 (2001)
- D. Kudryashov, A. Gudovskikh, K. Zelentsov. J. Phys.: Conf. Ser., 461, 012021 (2013)
- S. Peng, X. Cao, J. Pan, X. Wang, X. Tan, A.E. Delahoy, K.K. Chin. J. Electron. Mater., 46 (2), 1405 (2017)
- Handbook of Thin Films, ed by H. Singh Nalwa. V. 5 (Toronto--London--N.Y., Academic Press, 2001) p. 3451
- W.-F. Wu, B.-Sh. Chiou. Semicond. Sci. Technol., 11, 196 (1996)
- K. Samadzamini, J. Frounchi, H. Veladi. J. Korean Phys. Soc., 59 (5), 3280, (2011)
- S. Ishibashi, Y. Higuchi, Y. Ota, K. Nakamura. J. Vac. Sci. Tech. A, 8, 1403 (1990)
- F. Kurdesau, G.S. Khrypunov, A.F. da Cunha, M. Kaelin. J. Non-Cryst. Sol., 352, 1466 (2006)
- G.B. Gonzalez, T.O. Mason, J.P. Quintana. J. Appl. Phys., 96, 3912 (2004)
- J.-H. Hwang, D.D. Edwards, D.R. Kammler, T.O. Mason. Solid State Ionics, 129 (1-4), 135 (2000)
- H.-N. Cui, V. Teixeira, L.-J. Meng, R. Martins, E. Fortunato. Vacuum, 82, 1507 (2008)
- Handbook of Visual Display Technology, ed. by J. Chen, W. Cranton, M. Fihn (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg, 2012) p. 2700
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
