Свойства пленок кремния, выращенных при разных давлениях в плазмообразующей системе
Митин Д.М.1,2, Сердобинцев А.А.1,2
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.
Изучено влияние давления рабочего газа на свойства тонких пленок кремния, синтезированных методом магнетронного распыления на постоянном токе. Пленки, полученные при более низких давлениях, отличаются меньшей шероховатостью и меньшим удельным сопротивлением. Качественно это можно объяснить большей длиной свободного пробега частиц в потоке осаждения при меньших давлениях.
- В.П. Афанасьев, Е.И. Теруков, А.А. Шерченков. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния, 2-е изд. (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2011) гл. 1, с. 7
- Guy Beaucarne. Advances in OptoElectronics, 2007, Article ID 36 970 (2007)
- U. Helmersson, M. Lattemann, J. Bohlmark, A.P. Ehiasarian, J.T. Gudmundsson. Thin Sol. Films, 513 (1-2), 1 (2006)
- А.Г. Веселов, А.С. Джумалиев. ЖТФ, 70 (4), 118 (2000)
- А.А. Сердобинцев, А.Г. Веселов, О.А. Кирясова. ФТП, 42 (4), 496 (2008)
- А.А. Сердобинцев, Е.И. Бурылин, А.Г. Веселов, О.А. Кирясова, А.С. Джумалиев. ЖТФ, 78 (3), 83 (2008)
- Е.И. Бурылин, А.А. Веселов, А.Г. Весeлов, А.С. Джумалиев, С.Н. Иванов, О.А. Кирясова. Письма ЖТФ, 26 (7), 31 (2000)
- Т.К. Звонарева, В.И. Иванов-Омский, В.В. Розанов, Л.В. Шаронова. ФТП, 35 (12), 1460 (2001)
- В.Е. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
