Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние разогрева носителей заряда собственным стимулированным пикосекундным излучением в GaAs на линейное возрастание на фронте и длительность спектральной компоненты этого излучения
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия 
Email: bil@cplire.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 17 января 2021 г.
Принята к печати: 25 января 2021 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2021 г.
Во время мощной оптической пикосекундной накачки тонкого слоя GaAs, входящего в состав гетероструктуры AlxGa1-xAs-GaAs-AlxGa1-xAs, в нем возникает интенсивное стимулированное пикосекундное излучение. При анализе измеренных в реальном времени импульсов спектральных компонент излучения установлены коэффициенты экспоненциального, потом линейного усиления компонент на фронте. При этом обнаружено влияние на фронт компонент, оказываемое нагревом носителей заряда излучением. Получена зависимость длительности компоненты (FWHM) от характерных времен возрастания на фронте и релаксации (тоже замедленной нагревом носителей излучением) на спаде компоненты. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, коэффициент усиления, характерное время возрастания излучения, характерное время релаксации излучения, разогрев носителей заряда, линейное усиление.
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 143, 634 (2013)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 144, 227 (2013)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 55, 113 (2021)
- Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 53, 1471 (2019)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 35, 65 (2001)
- С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
- J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 55, 121 (2021)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 54, 1018 (2020)
- L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256, (1977)
- В.Д. Соловьев. Физика лазеров. Текст лекций (4-й курс). http://elib.spbstu.ru/dl/2313.pdf/download/2313.pdf
- О. Звелто. Принципы лазеров (СПб., Лань, 2008)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
