Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан 
2Термезский государственный университет, Термез, Узбекистан
2Термезский государственный университет, Термез, Узбекистан
Email: sobir-i@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 15 февраля 2021 г.
Принята к печати: 19 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.
Показано, что в кремнии с нанокластерами атомов марганца наблюдается ряд аномальных фотоэлектрических явлений, таких как примесная остаточная фотопроводимость с большим временем релаксации, инфракрасное гашение фотопроводимости при отсутствии собственного фонового света, гигантская примесная фотопроводимость и примесная суперлинейная ватт-амперная характеристика, связанные с наличием нанокластеров атомов марганца. Природу этих явлений невозможно объяснить существующей теорией фотопроводимости. Такие материалы могут быть использованы для создания новых типов фотоэлектрических приборов. Ключевые слова: кремний, марганец, нанокластер, ИК гашение, фотопроводимость, фотоотклик.
- W. Ouyang, F. Teng, H. He, X. Fang. Adv. Funct. Mater., 1807672 (2019)
- R. Mainz, A. Singh, S. Levcenko, M. Klaus, C. Genzel, K.M. Ryan, T. Unold. Nature Commun., 5, 3133 (2014).
- N. Fukata. Adv. Mater., 21, 2829 (2009)
- M. Seibt, V. Kveder, W. Schroter, O. Vob. Phys. Status Solidi A, 202, 911 (2005)
- M.T. Bjork, H. Schmid, J. Knoch, H. Riel, W. Riess. Nature Nanotech., 4, 103 (2009)
- M.K. Bakhadyrkhanov, K.S. Ayupov, G.Kh. Mavlyanov, S.B. Isamov. Semiconductors, 44 (9), 1145 (2010)
- J. Kreissl, W. Gehlhoff. Phys. Status Solidi B, 145, 609 (1988)
- Ш.И. Аскаров, М.К. Бахадирханов, В.Ф. Мастеров, В.Ф. Штельмах. ФТП, 16, 1308. (1982)
- J. Kreissl, W. Gehlhoff. Phys. Rev. B, 49, 10307 (1994)
- K.P. Abdurakhmonov, A.A. Lebedev, J. Kreissl, Sh.B. Utamuradova. Sov. Phys. Semicond., 19, 213 (1985)
- M.K. Bakhadyrkhanov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov, Kh.M. Iliev, K.S. Ayupov, Z.M. Saparniyazova, S.A. Tachilin. Inorg. Mater., 47, 5, 479 (2011)
- M.K. Bakhadyrkhanov, K.S. Ayupov, Kh.M. Iliev, G.Kh. Mavlonov, O.E. Sattorov. Techn. Phys. Lett., 35, 741 (2009)
- M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov. Techn. Phys., 61, 458 (2016)
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., ИЛ, 1962)
- N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Solid State Commun., 65, 1111 (1988)
- N.T. Bagraev, I.S. Polovtsev. Sov. Phys. --- JETP Lett., 56, 35 (1992)
- Б.А. Абдурахманов, К.С. Аюпов, М.К. Бахадырханов, Х.М. Илиев, Д.Т. Бобонов, Н.Ф. Зикриллаев, З.М. Сапарниязова, А. Тошев. Докл. АН РУз, 4, 32 (2010)
- С.В. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
- М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
- С.Б. Исамов. Докл. АН Республики Узбекистан, 1, 23 (2016).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
