Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC
Нагалюк С.С.1, Мохов Е.Н.1, Казарова О.П.1, Бер Б.Я.1, Анисимов А.А.1, Бреев И.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: snagalyuk@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 25 февраля 2021 г.
Принята к печати: 25 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.
Исследованы причины, приводящие к появлению зеленой окраски кристаллов AlN, выращиваемых методом сублимации на затравках SiC. Методом вторичной ионной масс-спектроскопии показано, что цвет кристаллов слабо зависит от содержания кремния и углерода, а зеленая или темная окраска возникает только при повышенном содержании углерода по сравнению с кремнием. Методом комбинационного рассеяния света установлено присутствие в этих кристаллах отдельной фазы аморфного углерода. Выделение фазы углерода в процессе роста кристаллов затрудняет получение качественных кристаллов AlN, а также твердых растворов AlN-SiC. Анализируется влияние условий роста на оптические свойства кристаллов AlN. Ключевые слова: кристалл AlN, затравка SiC, зеленая или темная окраска, аморфный углерод.
- Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Naoharu Sugiyama, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano. Appl. Phys. Express, 12, 124003 (2019). DOI: 10.7567/1882-0786/ab50e0
- C. Guguschev, A. Dittmar, E. Moukhina, C. Hartmann, S. Golka, J. Wollweber, M. Bickermann, R. Fornari. J. Cryst. Growth, 360, 185 (2012)
- R.R. Sumathi, P. Gille. Cryst. Res. Technol., 47 (3), 237 (2012)
- M. Bickermann, O. Filip, B.M. Epelbaum, P. Heimann, M. Feneberg, B. Neuschl, K. Thonke, E. Wedler, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 339, 13 (2012)
- O. Filip, M. Bickermann, B.M. Epelbaum, P. Heimann, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 312, 2822 (2010)
- Seung-Min Kanga, Chel-Jong Choib, Jong-Won Yoon. J. Ceramic Proc. Res., 10 (5), 689 (2009)
- C.M. Balkas, Z. Sitar, T. Zheleva, L. Bergman, R. Nemanich, R.F. Davis. J. Cryst. Growth, 179, 363 (1997)
- O.V. Avdeev, T.Yu. Chemekova, H. Helava, M.G. Ramm, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, A.S. Segal. In: Comprehensive Semiconductor Science and Technology (2011) p. 282
- Е.Н. Мохов, M.К. Рабчинский, С.С. Нагалюк, М.Р. Гафуров, О.П. Казарова. ФТП, 54 (3), 224 (2020)
- B.M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, P. Heimann, O. Filip, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 305 (2), 317 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.