Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры
Мынбаева М.Г.
1, Смирнов А.Н.
1, Мынбаев К.Д.
1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 22 марта 2021 г.
Принята к печати: 22 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2021 г.
Представлены результаты исследования оптических свойств образцов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры, выращенных без использования традиционных полупроводниковых или сапфировых подложек. Показано, что дефекты упаковки, содержащиеся в блоках GaN-текстуры исследованного материала, представляют собой самоорганизованные гетерополитипные наноструктуры, и эффективная люминесценция в ультрафиолетовой области спектра, связанная с дефектами упаковки в базисной плоскости типа I1, определяется оптическими переходами экситонов, локализованных вблизи таких естественных дефектов монокристаллического объема блоков GaN-текстуры. Ключевые слова: нитрид галлия, дефекты упаковки, люминесценция.
- D.S. Chen, W.B. Gao. J. Semicond., 40, 070301 (2019)
- J. Lahnemann, U. Jahn, O. Brandt, T. Flissikowski, P. Dogan, H.T. Grahn. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 423001 (2014)
- Y. Zhang, R.M. Smith, L. Jiu, J. Bai, T. Wan. Sci. Rep., 9, 9735 (2019)
- А.В. Соломникова, В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, Т.А. Орлова, С.Н. Родин, Н.В. Середова, М.П. Щеглов, Д.С. Кибалов, В.К. Смирнов. ФТП, 53, 1006 (2019)
- М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.А. Лаврентьев, Е.В. Иванова, В.И. Николаев. Письма ЖТФ, 41 (5), 84 (2015)
- M.G. Mynbaeva, E.V. Ivanova, D.A. Kirilenko, A.N. Smirnov, K.D. Mynbaev. J. Phys. Conf. Ser., 1697, 012064 (2020)
- M. Dermeneva, D. Muravijova, M. Mynbaeva, V. Bougrov, M. Yagovkina. J. Phys. Conf. Ser., 1124, 081008 (2018)
- A. van der Drift. Phil. Res. Rep., 22, 267 (1967)
- C.A. Arguello, D.L. Rousseau, S.P.S. Porto. Phys. Rev., 181 (3), 1351 (1969)
- V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovskii, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Smirnov, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, J. Stemmer, O. Semchinova, J. Graul. Semicond. Sci. Technol., 15, 73 (2000)
- М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.Н. Смирнов, Д.А. Кириленко, С.Ч. Рауфов, А.А. Ситникова, М.А. Одноблюдов, В.Е. Бугров, К.Д. Мынбаев, В.И. Николаев, А.Е. Романов. Физ. мех. матер., 29 (1), 24 (2016)
- V.Yu. Davydov, N.S. Averkiev, I.N. Goncharuk, D.K. Nelson, I.P. Nikitina, A.S. Polkovnikov, A.N. Smirnov, M.A. Jacobson, O.K. Semchinova. J. Appl. Phys., 82, 5097 (1997)
- Yu.V. Melnik, K.V. Vassilevski, I.P. Nikitina, A.I. Babanin, V.Yu. Davydov, V.A. Dmitriev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, e39 (1997)
- Д.А. Кириленко, А.В. Кремлева, А.А. Ситникова, А.В. Кремлева, М.Г. Мынбаева, В.И. Николаев. Письма ЖТФ, 40 (24), 60 (2014)
- Y.T. Rebane, Y.G. Shreter, M. Albrecht. Phys. Status Solidi A, 164, 141 (1997)
- I. Tischer, M. Hocker, B. Neuschl, M. Madel, M. Feneberg, M. Schirra, M. Frey, M. Knab, P. Maier, T. Wunderer, R.A.R. Leute, J. Wang, F. Scholz, J. Biskupek, J. Bernhard, U. Kaiser, U. Simon, L. Dieterle, H. Groiss, E. Muller, D. Gerthsen, K. Thonke. J. Mater. Res., 30, 2977 (2015).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
