Вышедшие номера
Влияние динамики носителей заряда и температуры на двухуровневую генерацию в полупроводниковых лазерах на квантовых точках
Коренев В.В.1,2, Савельев А.В.1,2, Жуков А.Е.1,2,3, Омельченко А.В.1,2, Максимов М.В.1,2,3
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

В аналитическом виде показано, что совокупная динамика носителей заряда в квантовых точках и в материале матрицы оказывает существенное влияние на явление двухуровневой генерации в лазерах на квантовых точках. В частности, учет десинхронизации в захвате электронов и дырок позволяет описать гашение генерации через основной оптический переход квантовых точек при больших мощностях накачки как качественно, так и количественно. В то же время анализ динамики зарядов внутри одиночной квантовой точки позволяет описать температурные зависимости мощности излучения через основной и возбужденный оптические переходы.