Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 10 » Статья стр. 1431
<<<>>>
Модели формирования оксидных слоев в наноструктурированных материалах на основе халькогенидов свинца при обработке в парах кислорода и иода
Мараева Е.В.1, Мошников В.А.1, Таиров Ю.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
PDF версия
На основе экспериментальных результатов по изучению закономерностей формирования наноструктурированных слоев при диффузионном отжиге на ограненных монокристаллах халькогенидов свинца развиты модельные представления об управлении формированием оксидных оболочек в процессе окисления. Представлены данные об изменении состава оксидных фаз при изменении отклонения от стехиометрии в исходном халькогениде свинца. Развиты модельные представления о возможности изменения толщин оксидных фаз оболочек путем применения отжига в иодсодержащей атмосфере. Показано, что отжиг в иодидной атмосфере обеспечивает эффективное проникновение кислорода внутрь зерна, что необходимо для повышения эффективности фотолюминесценции.
  1. Л.H. Курбатов. Вопросы оборонной техники, 1 (2), 3 (1995)
  2. В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус. Прикл. физика, 6, 66 (2001)
  3. Z. Dashevsky, R. Kreizman, E.N. Shufer, V. Kasiyan, E. Flitsiyan, M. Shatkhin, L. Chernyak. J. Nanoelectron. Optoelectron., 4 (3), 296 (2009)
  4. Н.П. Анисимова, Т.Р. Глобус, Л.К. Дийков, Ю.В. Калинин, Т.Г. Николаева, А.О. Олеск. ФТП, 3, 534 (1983)
  5. В.И. Рудаков, А.Л. Куреня, А.А. Шорников, М.Л. Гитлин. Микроэлектроника, 38 (5), 374 (2009)
  6. С.И. Ягодин, М.П. Миронов, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков. Конденсированные среды и межфазные границы, 12 (2), 177 (2010)
  7. Е.В. Мараева, Д.Б. Чеснокова, В.А. Мошников, А.Е. Гамарц. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 3, 14 (2011)
  8. С.В. Непомнящий, А.В. Пашкевич, Ю.Л. Шелехин, Л.К. Дийков. ФТП, 18 (12), 2233 (1984)
  9. В.М. Баканов, З.И. Смирнова, Х.Н. Мухамедзянов, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков. Конденсированные среды и межфазные границы, 13 (4), 401 (2011)
  10. Z. Dashevsky, E. Shufer, V. Kasiyan, E. Flitsiyan, L. Chernyak. Physica B: Condens. Matter, 405 (10), 2380 (2010)
  11. F. Zhao, S. Mukherjee, J. Ma, D. Li, S.L. Elizondo, Z.S. Shi. Appl. Phys. Lett., 92 (21), 211 110 (2008)
  12. В.П. Зломанов, О.И. Тананаева, А.В. Новоселова. Журн. неорган. химии, 6 (12), 2753 (1961)
  13. F. Briones, D. Golmayo, G. Ortiz. Thin Sol. Films, 78 (4), 385 (1981)
  14. C. Gautier, M. Combon-Muller, M. Averous. Appl. Surf. Sci., 141, 157 (1999)
  15. M.C. Torquemada, M.T. Rodrigo, G. Veigara. J. Appl. Phys., 93 (3), 1778 (2003)
  16. Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. Физика и химия стекла, 32 (3), 464 (2006)
  17. А.Е. Гамарц, В.М. Лебедев, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. ФТП, 38 (10), 1195 (2004)
  18. А.Е. Гамарц, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. ФТП, 40 (6), 683 (2006)
  19. Ю.Н. Андреев, М.В. Бестаев, Д.Ц. Димитров, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, Н.П. Ярославцев. ФТП, 31 (7), 841 (1997)
  20. О.А. Александрова, А.Т. Ахмеджанов, Р.Ц. Бондоков, В.А. Мошников, И.В. Саунин, Ю.М. Таиров, В.И. Штанов, Л.В. Яшина. ФТП, 34, 1420 (2000)
  21. Н.В. Голубченко, М.А. Иошт, С.В. Кощеев, В.А. Мошников. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 2, 3 (2008)
  22. Н.В. Голубченко, М.А. Иошт, В.А. Мошников. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 1, 71 (2008)
  23. P.J. Taylor, W. Sarney, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 97 (20), 203 105 (2010)
  24. М.В. Бестаев, А.И. Горелик, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров. Оптический журн., 64 (3), 116 (1997)
  25. М.В. Бестаев, А.И. Горелик, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров. ФТП, 31 (8), 980 (1997)
  26. В.А. Мошников, А.Е. Гамарц, Д.Б. Чеснокова, Е.В. Мараева. Неорг. матер., 47 (1), 18 (2011)
  27. D.B. Chesnokova, V.A. Moshnikov, A.E. Gamarts, E.V. Maraeva, O.A. Aleksandrova, V.V. Kuznetsov. J. Non-Cryst. Sol., 356, 2010 (2010)
  28. Б.А. Поповкин, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. Журн. неорган. химии, 5 (10), 2261 (1960)
  29. С.А. Олеск, А.Н. Пихтин, А.Э. Юнович. ФТП, 24, 795 (1990)
  30. R. Assenov, V.A. Moshnikov, D.A. Yaskov. Cryst. Res. Technol., 22 (9), 1159 (1987)
  31. R. Assenov, V.A. Moshnikov, D.A. Yaskov. Physica Status Solidi A, 88 (1), 27 (1985)
  32. A.S. Bakin, M.V. Bestaev, D.Tz. Dimitrov, V.A. Moshnikov, Yu.M. Tairov. Thin Sol. Films, 296 (1), 168 (1997)
  33. Ю.М. Канагеева, В.А. Мошников, M. Arnold, H. Zogg, F. Felder, M. Rahim. ВТТ, 1, 3 (2008)
  34. Ю.М. Спивак, В.А. Мошников. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 1, 97 (2010)
  35. V. Kasiyan, Z. Dashevsky, C.M. Schwarz, M. Shatkhin, E. Flitsiyan, L. Chernyak, D. Khokhlov. J. Appl. Phys., 112, 3 086 101 (2012)
  36. А.Е. Гамарц, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. ФТП, 40 (6), 683 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme