Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 8 » Статья стр. 704
<<<
Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51144.9660
Середин П.В.1, Барков К.А.1, Голощапов Д.Л.1, Леньшин А.С.1, Худяков Ю.Ю.1, Арсентьев И.Н.2, Лебедев А.А.2, Шарофидинов Ш.Ш.2, Мизеров А.М.3, Касаткин И.А.4, Prutskij Tatiana5
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
5Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Puebla, Pue., Mexico
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 15 апреля 2021 г.
Принята к печати: 15 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.
PDF версия
Сообщается о росте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии пленки GaN на предварительно обработанных кремниевых подложках Si(001) через буферный слой AlN. Продемонстрировано, что использование предложенной технологии привело к образованию в подложке Si переходного субслоя, дальнейший рост на котором обеспечил формирование столбчатых зерен GaN, между которыми находится тонкая прослойка фазы AlN. Эпитаксиальная пленка GaN имеет низкую величину остаточных напряжений, что нашло свое отражение в интенсивной люминесценции. Ключевые слова: хлорид-гидридная газофазная эпитаксия, фотолюминесценция, GaN, AlN, Si.
  1. Y. Feng, V. Saravade, T.-F. Chung, Y. Dong, H. Zhou, B. Kucukgok, I.T. Ferguson, N. Lu. Sci. Rep., 9, 10172 (2019). doi: 10.1038/s41598-019-46628-4
  2. L.S. Chuah, S.M. Thahab, Z. Hassan. J. Nonlinear Opt. Phys. Amp Mater., (2012). doi: 10.1142/S0218863512500142
  3. V.N. Bessolov, Yu.V. Zhilyaev, E.V. Konenkova, N.K. Poletaev, Sh. Sharofidinov, M.P. Shcheglov. Techn. Phys. Lett., 38, 9 (2012). doi: 10.1134/S1063785012010051
  4. S. Choi, E. Heller, D. Dorsey, R. Vetury, S. Graham. J. Appl. Phys., 113, 093510 (2013). doi: 10.1063/1.4794009
  5. W. Wang, W. Yang, Z. Liu, Y. Lin, S. Zhou, H. Qian, H. Wang, Z. Lin, S. Zhang, G. Li. CrystEngComm, 16, 8500 (2014). doi: 10.1039/C4CE00948G
  6. H. Xin Jing, C.A. Che Abdullah, M.Z. Mohd Yusoff, A. Mahyuddin, Z. Hassan. Results Phys., 12, 1177 (2019). doi: 10.1016/j.rinp.2018.12.095
  7. T. Yamane, F. Satoh, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu. J. Cryst. Growth, 300, 164 (2007). doi: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.009
  8. J. Hu, H. Wei, S. Yang, C. Li, H. Li, X. Liu, L. Wang, Z. Wang. J. Semicond., 40, 101801 (2019). doi: 10.1088/1674-4926/40/10/101801
  9. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolaev, A.V. Zhabotinskiy. Phys. B Condens. Matter, 530, 30 (2018). doi: 10.1016/j.physb.2017.11.028
  10. V. Bessolov, A. Zubkova, E. Konenkova, S. Konenkov, S. Kukushkin, T. Orlova, S. Rodin, V. Rubets, D. Kibalov, V. Smirnov. Phys. Status Solidi B, 256, 1800268 (2019). doi: 10.1002/pssb.201800268
  11. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, I.A. Zhurbina. Semiconductors, 44, 184 (2010). doi: 10.1134/S1063782610020089
  12. P.G. Spizzirri, J.-H. Fang, S. Rubanov, E. Gauja, S. Prawer. ArXiv10022692 Cond-Mat. (2010)
  13. V. Lughi, D.R. Clarke. Appl. Phys. Lett., 89, 241911 (2006). doi: 10.1063/1.2404938
  14. Y. Zeng, J. Ning, J. Zhang, Y. Jia, C. Yan, B. Wang, D. Wang. Appl. Sci., 10, 8814 (2020). doi: 10.3390/app10248814
  15. Y. Dai, S. Li, H. Gao, W. Wang, Q. Sun, Q. Peng, C. Gui, Z. Qian, S. Liu. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 27, 2004 (2016). doi: 10.1007/s10854-015-3984-1
  16. A.H. Park, T.H. Seo, S. Chandramohan, G.H. Lee, K.H. Min, S. Lee, M.J. Kim, Y.G. Hwang, E.-K. Suh. Nanoscale, 7, 15099 (2015). doi: 10.1039/C5NR04239A
  17. S.A. Nikishin, N.N. Faleev, V.G. Antipov, S. Francoeur, L.G. de Peralta, G.A. Seryogin, M. Holtz, T.I. Prokofyeva, S.N.G. Chu, A.S. Zubrilov, V.A. Elyukhin, I.P. Nikitina, A. Nikolaev, Y. Melnik, V. Dmitriev, H. Temkin. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 5, 467 (2000). doi: 10.1557/S1092578300004658
  18. M.R. Correia, S. Pereira, E. Pereira, J. Frandon, E. Alves. Appl. Phys. Lett., 83, 4761 (2003). doi: 10.1063/1.1627941
  19. R.J. Briggs, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 13, 5518 (1976). doi: 10.1103/PhysRevB.13.5518
  20. L. Teng, R. Zhang, Z.-L. Xie, T. Tao, Z. Zhang, Y.-C. Li, B. Liu, P. Chen, P. Han, Y.-D. Zheng. Chin. Phys. Lett., 29, 027803 (2012). doi: 10.1088/0256-307X/29/2/027803
  21. Y.-K. Lin, Y.-S. Chen, C.-H. Hsueh. Results Phys., 12, 244 (2019). doi: 10.1016/j.rinp.2018.11.051
  22. M. Arias, M. Briceno, A. Marzo, A. Zarate. J. Chil. Chem. Soc., 64, 4268 (2019). doi: 10.4067/s0717-97072019000104268
  23. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Phys. E Low-Dim. Syst. Nanostructures, 97, 218 (2018). doi: 10.1016/j.physe.2017.11.018
  24. V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.Ya. Prints, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, A.O. Govorov. J. Exp. Theor. Phys. Lett., 66, 47 (1997). doi: 10.1134/1.567481
  25. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015). doi: 10.1016/j.mssp.2015.05.067
  26. P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Phys. B Condens. Matter, 495, 54 (2016). doi: 10.1016/j.physb.2016.04.044
  27. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 915 (2015). doi: 10.1134/S1063782615070210
  28. Y.-T. Chiang, Y.-K. Fang, T.-H. Chou, F.-R. Juang, K.-C. Hsu, T.-C. Wei, C.-I. Lin, C.-W. Chen, C.-Y. Liang. IEEE Sens. J., 10, 1291 (2010). doi: 10.1109/JSEN.2009.2037310
  29. P.P. Paskov, B. Monemar. In Handb.: GaN Semicond. Mater. Devices, ed. by W. Bi, H. Kuo, P.-C. Ku, B. Shen, 1st edn (CRC Press, Boca Raton, Taylor \& Francis, CRC Press, 2017. | Ser.: Series in Optics and Optoelectronics, 2017) p. 87. doi: 10.1201/9781315152011-3
  30. Iu.I. Ukhanov. Optical properties of semiconductors (Moscow, Nauka, 1977)
  31. M.O. Manasreh. Phys. Rev. B, 53, 16425 (1996). doi: 10.1103/PhysRevB.53.16425
  32. Y. Cai, Y. Liu, Y. Xie, Y. Zou, C. Gao, Y. Zhao, S. Liu, H. Xu, J. Shi, S. Guo, C. Sun. APL Mater., 8, 021107 (2020). doi: 10.1063/1.5139664
  33. F. Litimein, B. Bouhafs, Z. Dridi, P. Ruterana. New J. Phys., 4, 64 (2002). doi: 10.1088/1367-2630/4/1/364
  34. P. Lu, R. Collazo, R.F. Dalmau, G. Durkaya, N. Dietz, Z. Sitar. Appl. Phys. Lett., 93, 131922 (2008). doi: 10.1063/1.2996413

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme