Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 11 » Статья стр. 1542
<<<>>>
Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
Щукин В.А.1,2, Леденцов Н.Н.1,2, Карачинский Л.Я.2,3,4, Блохин С.А.2,4, Новиков И.И.2,3,4, Богословский Н.А.2, Савельев А.В.3
1VI Systems GmbH, Berlin, Germany
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.
PDF версия
Предложена электрооптическая среда на основе полупроводниковой сверхрешетки второго рода. Методом спектроскопии оптического отражения проведены исследования электрооптической модуляции интенсивности оптического отражения электрооптической среды, интегрированной в вертикальный резонатор Фабри-Перо. Полученные экспериментальные данные аппроксимированы с помощью осцилляторной модели экситонного поглощения. Эффективность электрооптической среды при отстройке от пика поглощения на 50 мэВ и электрических полях 0-50 кВ/cм составляет 10-9 м/В при коэффициенте заполнения среды 100%.
  1. IEEE 802.3TM Industry Connections Ethernet Bandwidth Assessment, http://www.ieee802.org/3/ad\_hoc/bwa/BWA\_Re- port.pdf
  2. Ed.L. Wooten, K.M. Kissa, A. Yi-Yan, E.J. Murphy, D.A. Lafaw, P.F. Hallemeier, D. Maack, D.V. Attanasio, D.J. Fritz, G.J. McBrien, D.E. Bossi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 6, 69 (2000)
  3. H. Venghaus, H.-G. Bach, S. Bauer, A. Beling, H. Heidrich, D. Hoffmann, B. Huttl, R. Kaiser, J. Kreissl, G.G. Mekonnen, M. Mohrle, W. Rehbein, B. Sartorius, K.-O. Velthaus. Proc. SPIE, 5956, 595 60I (2005)
  4. S.A. Blokhin, J.A. Lott, A. Mutig, G. Fiol, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, V.A. Shchukin, D. Bimberg. Electron. Lett., 45, 501 (2009)
  5. P. Westbergh, R. Safaisini, E. Haglund, B. Kogel, J.S. Gustavsson, A. Larsson, M. Geen, R. Lawrence, A. Joel. Electron. Lett., 48, 1145 (2012)
  6. D. Tauber, G. Wang, R.S. Geels, J.E. Bowers, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., 4, 325 (1993)
  7. J. Tatum. IEEE 802.3 Higher Speed Study Group, IEEE Dallas Plenary Meeting, Nov. 15, 2006
  8. A. Paraskevopoulos, H.-J. Hensel, W.-D. Molzow, H. Klein, N. Grote, N. Ledentsov, V. Shchukin, C. Moller, A. Kovsh, D. Livshits, I. Krestnikov, S. Mikhrin, P. Matthijsse, G. Kuyt. Paper PDP22, OFC/NFOEC 2006, March 5-10, 2006, Anaheim, California, USA
  9. N.N. Ledentsov, F. Hopfer, A. Mutig, V.A. Shchukin, A.V. Savel'ev, G. Fiol, M. Kuntz, V.A. Haisler, T. Warming, E. Stock, S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, C. Bornholdt, A. Lenz, H. Eisele, M. Dahne, N.D. Zakharov, P. Werner, D. Bimberg. Proc. SPIE, Phys. and Simulations of Optoelectronic Dev. XV, 6468, 47 (2007)
  10. J. van Eisden, M. Yakimov, V. Tokranov, M. Varanasi, E.M. Mohammed, I.A. Young, S.R. Oktyabrsky. Photon. Techn. Lett., 20 (1), 42 (2008)
  11. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, J.A. Lott, H. Quast, F. Hopfer, L.Ya. Karachinsky, M. Kuntz, P. Moser, A. Mutig, A. Strittmatter, V.P. Kalosha, D. Bimberg. Proc. SPIE, Phy. and Simulation of Optoelectron. Dev. XVI, 1, 68890H (2008)
  12. S.F. Lim, J.A. Hudgings, L.P. Chen, G.S. Li, W. Yuen, K.Y. Lau, C.J. Chang-Hasnain. Photon. Techn. Lett., 3, 319 (1998)
  13. T.D. Germann, A. Strittmatter, A. Mutig, A.M. Nadtochiy, J.A. Lott, S.A. Blokhin, L.Ya. Karachinsky, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, U.W. Pohl, D. Bimberg. Phys. Status Solidi C7, 2552 (2010)
  14. N.N. Ledentsov, J.A. Lott, V.A. Shchukin, D. Bimberg, A. Mutig, T.D. Germann, J.R. Kropp, L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy. Proc. SPIE, 7597, 759 71F (2010)
  15. R.V. Penty, I.H. White, Z. Qureshi, J.D. Ingham, M.J. Crisp, N.N. Ledentsov, J.A. Lott. Proc. SPIE, 7933, 793 31D (2011)
  16. D.A.B. Miller, D.S. Chelma, T.C. Damen, A.C. Gossrad, W. Wiegmann, T.H. Wood, C.A. Burrus. Phys. Rev. B, 32, 1043 (1985)
  17. D.S. Chelma, D.A.B. Miller, P. Smith, A. Gossard, W. Wiegmann. J. Quant. Electron., 20, 265 (1984)
  18. J.E. Zucker, T.L. Hendrickson, C.A. Burrus. Appl. Phys. Lett., 52, 945 (1988)
  19. M.V. Kotlyar, L. O'Faolain, A.B. Krysa, Th.F. Krauss. J. Lightwave Technol., 23, 2169 (2005)
  20. N. Debbar, S. Hong, J. Singh, P. Bhattacharya. J. Appl. Phys., 65, 383 (1989)
  21. M.P. Earnshaw, D.W.E. Allsopp, E.T.R. Childley, R. Grey. Photon. Techn. Lett., 12, 627 (2000)
  22. H. Feng, J.P. Pang, M. Sugiyama, K. Tada, Y. Nakano. J. Quant. Electron., 34, 1197 (1998)
  23. T. Suzuki, T. Arakawa, K. Tada, Y. Imazato, J.-H. Noh, N. Haneji. Jpn. J. Appl. Phys., 43, L1540 (2004)
  24. T. Arakawa, K. Takada, F. Tadano, T. Arima, J.-H. Noh, K. Tada. Proc. Conf. on Lasers and Electro-Optics, 2007. CLEO 2007, May 6-11, 2007, paper CMP3
  25. M.M. Dignam, J.E. Sype. Phys. Rev. B, 43 (5), 4084 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme