Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiC/6H-SiC

Лебедев А.А.¹, Заморянская М.В.¹, Давыдов С.Ю.¹, Кириленко Д.А.¹, Лебедев С.П.¹, Сорокин Л.М.¹, Шустов Д.Б.¹, Щеглов М.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 апреля 2013 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

PDF версия

Методами ТЕМ и катодолюминесценции проведено исследование переходной области гетероструктур 3C-SiC/6H-SiC. Обнаружено, что данная область, как правило, состоит из чередования слоев 3C-SiC и 6H-SiC с возможным включением и других политипов карбида кремния. Высказано предположение, что подобная структура переходной области может быть объяснена на основе модели спинодального распада.

A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
V.M. Polyakov, F. Schwierz. J. Appl. Phys., 98, 023 709 (2005)
M.V.S. Chandrashekhar, C.I. Thomas, J. Lu, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 91, 033 503 (2007)
O. Kim-Hak, G. Ferro, J. Dazord, M. Marinova, J. Lorenzzi, E. Polychroniadis, P. Chaudouet, D. Chaussende, P. Miele. J. Cryst. Growth, 311, 2385 (2009)
R. Vasiliauskas, M. Syvajarvi, M. Beskova, R. Yakimova. Mater. Sci. Forum, 615--617, 189 (2009)
R. Vasiliauskas, M. Marinova, M. Syvajarvi, A. Mantzari, A. Andreadou, J. Lorenzzi, G. Ferro, E. K. Polychroniadis, R. Yakimova. Mater. Sci. Forum, 645--648, 175 (2010)
R. Vasiliauskas, M. Marinova, P. Hens, P. Wellmann, M. Syvajarvi, R. Yakimova. J. Cryst. Growth, 12, 197 (2012)
K. Seki, S. Kozawa, T. Ujihara, Y. Takeda. J. Cryst. Growth, 360, 176 (2012)
R. Vasiliauskas, S. Juillaguet, M. Syvajarvi, R. Yakimova. J. Cryst. Growth, 348, 91 (2012)
S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, A.A. Sitnikova, D.A. Kirilenko, N.V. Seredova, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov. Mater. Sci. Forum, 740--742, 137 (2013)
В.П. Скрипов, А.В. Скрипов. УФН, 128, 193 (1979)
Н.А. Берт, Л.С. Вавилова, И.П. Ипатова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов, В.А. Щукин. ФТП, 33 (5), 544 (1999)
А.Ю. Маслов, О.В. Прошин. ФТП, 43, 873 (2009)
А.А. Лебедев. ФТП, 33, 769 (1999)
А.А. Лебедев, С.Ю. Давыдов. ФТП, 39, 296 (2005)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТП, 41, 641 (2007)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТП, 45, 743 (2011)
A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.S. Tregubova, A.N. Kuznetsov, V.A. Soloviev, N.K. Poletaev. Appl. Surf. Sci., 184, 421 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель