Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка

DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51437.36

РФФИ и Правительство Новосибирской области, 20-42-540009

Дмитриев Д.В.

¹, Колосовский Д.А.

^1,2, Федосенко Е.В.

¹, Торопов А.И.

¹, Журавлев К.С.

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: ddmitriev@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.

Принята к печати: 19 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом дифракции быстрых электронов на отражение in situ изучено изменение структуры и элементного состава поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком вакууме. Показано, что в процессе отжига окисного слоя на поверхности формируется слой InP_1-xAs_x, возникающий в процессе замещения фосфора мышьяком. Установлена зависимость степени замещения от температуры и времени отжига. При температуре отжига 480^oС степень замещения фосфора мышьяком в приповерхностном слое составляет 7%, при температуре 540^oС достигает 41%. Время отжига слабо влияет на степень замещения. Ключевые слова: фосфид индия, мышьяк, отжиг, замещение, дифракция.

S. Lee, M. Winslow, C.H. Grein, S.H. Kodati, A.H. Jones, D.R. Fink, P. Das, M.M. Hayat, T.J. Ronningen, J.C. Campbell, S. Krishna. Sci. Rep., 10, 16735 (2020)
J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
T. Takahashi, Y. Kawano, K. Makiyama, S. Shiba, M. Sato, Y. Nakasha, N. Hara. IEEE Trans. Electron. Dev., 64, 89 (2017)
J. Massies, J.P. Contour. J. Appl. Phys., 58, 386 (1985)
G.J. Davies, R. Heckingbottom, H. Ohno, C.E.C. Wood, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 37, 290 (1980)
W.M. Lau, R.N.S. Sodhi, S. Ingrey. Appl. Phys. Lett., 52, 386 (1988)
R.F.C. Farrow. J. Phys. D: Appl. Phys., 8, 87 (1975)
C.H. Li, L. Li, D.C. Law, S.B. Visbeck, R.F. Hicks. Phys. Rev. B, 65, 205322 (2002)
В.А. Кульбачинский, Л.Н. Овешников, Р.А. Лунин, Н.А. Юзеева, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (2), 204 (2015)
O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, E. Placidi, J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-Ibrahimi. Surf. Sci., 600, 3160 (2006)
G. Hollinger, D. Gallet, M. Gendry, C. Santinelli, P. Viktorovitch. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 832 (1990)
J.M. Moison, M. Bensoussan, F. Houzay. Phys. Rev. B, 34, 2018 (1986)
Q.-K. Xue, T. Hashizume, T. Sakurai. Progr. Surf. Sci., 56, 1 (1997)
R. Averbeck, H. Riechert, H. Schlotterer, G. Weimann. Appl. Phys. Lett., 59, 1732 (1991)
D.V. Dmitriev, N.A. Valisheva, A.M. Gilinsky, I.B. Chistokhin, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev. IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 475, 012022 (2019)
S. Katsura, Y. Sugiyama, O. Oda, M. Tacano. Appl. Phys. Lett., 62, 1910 (1993)
M. McElhinney, C.R. Stanley. J. Cryst. Growth, 150, 518 (1995)
J. Moulder, W. Stickle, W. Sobol, K.D. Bomben. Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy (Published by Perkin-Elmer Corp., Phys. Electronics Division) Eden Prairie, Minnesota, USA, 1992)
J. Behrend, M. Wassermeier, K.H. Ploog. Surf. Sci., 372, 307 (1997)
K. Reginski, J. Muszalski, V.V. Preobrazhenskii, D.I. Lubyshev. Thin Sol. Films, 267, 54 (1995)
T. Ohno. Surf. Sci., 357-358, 265 (1996)
V.P. LaBella, Z. Ding, D.W. Bullock, C. Emery, P.M. Thibado. J. Vac. Sci. Techn. A, 18, 1492 (2000)
L.-M. Peng, J.M. Cowley. Surf. Sci., 201, 559 (1988)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
A.R. Denton, N.W. Ashcroft. Phys. Rev. A, 43, 3161 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель