Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
Соболев Н.А., Калядин А.Е., Штельмах К.Ф., Шек Е.И.
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 3 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 8 июня 2021 г.
Принята к печати: 8 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.
Исследована дислокационная люминесценция в не имплантированных и имплантированных ионами кислорода пластинах кремния после многостадийной термообработки, применяемой в микроэлектронике для создания внутреннего геттера, и заключительного отжига при 1000oC в хлорсодержащей атмосфере. В не имплантированном образце доминирует линия дислокационной люминесценции D1, а ее интенсивность больше чем на порядок по сравнению с другой линией дислокационной люминесценции D2. С ростом температуры интенсивность D1 линии увеличивается, а затем уменьшается. В имплантированном образце интенсивности D1 и D2 линий увеличиваются. Для обеих линий наблюдается только температурное гашение их интенсивностей. Определены энергии гашения и возгорания интенсивностей линий дислокационной фотолюминесценции. Обсуждаются возможные причины наблюдавшихся эффектов. Ключевые слова: дислокационная люминесценция, кремний, ионная имплантация, кислородные преципитаты.
- Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
- Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. ФТП, 55 (7), 553 (2021)
- V. Kveder, V. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Zeibt, W. Schreter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
- S. Fukatsu, Y. Mera, M. Inoue, K. Maeda, H. Akiyama, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 68, 1889 (1996)
- E.O. Sveinbjornsson. J. Weber. Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)
- S. Binetti, M. Donghi, S. Pizzini, A. Castaldini, A. Cavallini, F. Fraboni, N.A. Sobolev. Sol. St. Phenomena, 57--58, 197 (1997)
- N.A. Sobolev, А.E. Kalyadin, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh, A.K. Gutakovskii, V.I. Vdovin, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetel'baum, D. Li, D. Yang, L.I. Fedina. Materials Today: Proceedings, 5--6, 14772 (2016)
- S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)
- S. Pizzini, E. Leonti, S. Binetti, M. Acciarri, A. Le Donne, B. Pichaud. Sol. St. Phenomena, 95--96, 273 (2004)
- K. Bothe, R.J. Falster, J.D. Murphy. Appl. Phys. Lett., 101, 032107 (2012)
- Н.А. Соболев. ФТП. 44 (1), 3 (2010)
- Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 50 (2), 241 (2016)
- Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, Е.О. Паршин, Н.С. Мелесов, С.Г. Симакин. ФТП, 53 (2), 165 (2019)
- L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev. J. Appl. Phys., 124, 053106 (2018)
- N.A. Sobolev. Intrinsic point defect engineering in silicon high-voltage power device technology [Chap. 5 in Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, p. 131--164 (1997). Ed. by M. Levinshtein and M. Shur (Wiley-Interscience, N.Y., USA)]
- В.И. Вдовин, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.Е. Калядин, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, Н.А. Соболев. Кристаллография, 66 (4), 597 (2021)
- S. Binetti, R. Somaschini, A. Le Donne, E. Leoni, S. Pizzini, D. Li, D. Yang. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13247 (2002)
- G. Davies. Phys. Reports, 176, 83 (1989)
- H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996)
- R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.H. Kurster, H. Alexander. Appl. Phys. A, 36, 1 (1985)
- Luelue Xiang, Dongsheng Li, Lu Jin, Shuming Wang, Deren Yang. J. Appl. Phys., 13, 033518 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
