Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru, vlasov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 25 мая 2021 г.
Принята к печати: 25 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.
Представлены результаты исследований характеристик эпитаксиальных слоев GaSb, легированных кремнием, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений при соотношении молярных потоков TMSb/TEGa от 1 до 50. Исследованы рентгенодифракционные кривые качания, спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света, удельное сопротивление, концентрация и подвижность свободных носителей заряда в слоях GaSb : Si в зависимости от соотношения TMSb/TEGa при постоянном молярном потоке SiH4. Ключевые слова: газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, соотношение TMSb/TEGa, эпитаксиальный слой, антимонид галлия, легирование кремнием.
- Y.K. Su, H. Kuan, P.H. Chang. J. Appl. Phys., 73, 56 (1993)
- C. Agert, P.S. Gladkov, A.W. Bett. Semicond. Sci. Technol., 17, 39 (2002)
- A.A. Quivy, A.L. Sperandio, E.C.F. Da Silva, J.R. Keite. J. Cryst. Growth, 206, 171 (1999)
- B. Lee, S.S. Bose, M.H. Kim, A.D. Reed, G.E. Stillman. J. Cryst. Growth, 96, 27 (1989)
- K.F. Longenbach, S. Xin, W.I. Wang. J. Appl. Phys., 69, 3393 (1991)
- G. Pindoria, R.A.A. Kubiak, S.M. Newstead, D.P. Woodruff. Surf. Sci., 234, 17 (1990)
- A.A. Quivy, A.L. Sperandio, E.C.F. Da Silva, J.R. Keite. J. Cryst. Growth, 206, 171 (1999)
- Р.В. Левин, А.С. Власов, А.Н. Смирнов, Б.В. Пушный. ФТП, 53 (12), 1599 (2019)
- J.E. Maslar, W.S. Hurst, C.A. Wang. J. Appl. Phys., 103, 013502 (2008)
- A.S. Vlasov, E.P. Rakova, V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, V.S. Kalinovsky, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Solar Energy Mater. Solar Cells., 94, 1113 (2010)
- M. Hakala, M.J. Puska, R.M. Nieminen. J. Appl. Phys., 91, 4988 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
