Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51548.44

Сибирев Н.В.^1,2, Бердников Ю.С.^1,3, Федоров В.В.², Штром И.В.^1,4, Большаков А.Д.^1,2

¹Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия HSE University, St. Petersburg, Russia

⁴Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Email: Sibirev@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.

Принята к печати: 19 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена модель для расчета состава самокаталитических нитевидных нанокристаллов, не содержащая подгоночных параметров. Показано, что состав нитевидных нанокристаллов Ga(As, P) не зависит от скорости роста при фиксированном отношении суммарных потоков атомов V и III групп. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментально наблюдаемой зависимостью состава нитевидных нанокристаллов от соотношения потоков атомов As и P. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы Ga(As,P), молекулярно-пучковая эпитаксия, самокаталитический рост, количественный расчет состава.

В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43 (12), 1585 (2009)
S. Barth, F. Hernandez-Ramirez, J. D. Holmes, A. Romano-Rodriguez. Progr. Mater. Sci., 55 (6), 563 (2010)
E. Ertekin, P.A. Greaney, D.C. Chrzan, T.D. Sands. J. Appl. Phys., 97 (11), 1 (2005)
J.P. Boulanger, R.R. LaPierre. J. Cryst. Growth, 332 (1), 21 (2011)
В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (6), 41 (2004)
R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4 (5), 89 (1964)
P. Krogstrup, H.I. J rgensen, E. Johnson, M.H. Madsen, C.B. S rensen, A.F.I. Morral, M. Aagesen, J. Nyg rd, F. Glas. J. Phys. D: Appl. Phys., 46 (31), 313001 (2013)
G. Priante, G. Patriarche, F. Oehler, F. Glas, J. C. Harmand. Nano Lett., 15 (9), 6036 (2015)
C. Chen, M. C. Plante, C. Fradin, R. R. LaPierre. J. Mater. Res., 21 (11), 2801 (2006)
E. Dimakis, J. Lahnemann, U. Jahn, S. Breuer, M. Hilse, L. Geelhaar, H. Riechert. Cryst. Growth Des., 11 (9), 4001 (2011)
V.G. Dubrovskii. J. Cryst. Growth, 498, 179 (2018)
K.A. Dick, J. Bolinsson, B.M. Borg, J. Johansson. Nano Lett., 12, 3200 (2012)
V. Zannier, F. Rossi, V. G. Dubrovskii, D. Ercolani, S. Battiato, L. Sorba. Nano Lett., 18 (11), 167 (2018)
A.D. Bolshakov, V.V. Fedorov, N.V. Sibirev, M.V. Fetisova, E.I. Moiseev, N.V. Kryzhanovskaya, O.Y. Koval, E.V. Ubyivovk, A.M. Mozharov, G.E. Cirlin, I.S. Mukhin. Phys. Status Solidi RRL, 13 (11), 1900350 (2019)
O. Saket, C. Himwas, V. Piazza, F. Bayle, A. Cattoni, F. Oehler, G. Patriarche, L. Travers, S. Collin, F.H. Julien, J.-C. Harmand, M. Tchernycheva. Nanotechnology, 31 (14), 145708 (2020)
W. Metaferia, A. R. Persson, K. Mergenthaler, F. Yang, W. Zhang, A. Yartsev, R. Wallenberg, M.E. Pistol, K. Deppert, L. Samuelson, M.H. Magnusson. Nano Lett., 16 (9), 5701 (2016)
Y. Zhang, M. Aagesen, J.V. Holm, H.I. J rgensen, J. Wu, H. Liu. Nano Lett., 13 (8), 3897 (2013)
J. Johansson, M. Ghasemi. RAPID Commun. Phys. Rev. Mater., 1, 40401 (2017)
P. Periwal, N. V. Sibirev, G. Patriarche, B. Salem, F. Bassani, V.G. Dubrovskii, T. Baron. Nano Lett., 14 (9), 5140 (2014)
I. Ansara, C. Chatillon, H.L. Lukas, T. Nishizawa, H. Ohtani, K. Ishida, M. Hillert, B. Sundman, B.B. Argent, A. Watson, T.G. Chart, T. Anderson. Calphad, 18 (2), 177 (1994)
G.A. Antypas. J. Electrochem. Soc., 117 (5), 700 (1970)
C. Pupp, J.J. Murray, R.F. Pottie. J. Chem. Thermodyn., 6 (2), 123 (1974)
J.R. Arthur. J. Phys. Chem. Solids, 28 (11), 2257 (1967)
S.L. Wright, H. Kroemer. J. Vac. Sci. Technol., 20 (2), 143 (1982)
C. Chatillon, F. Hodaj, A. Pisch. J. Cryst. Growth, 311 (14), 3598 (2009)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
В.П. Скрипов, А.В. Скрипов. УФН, 128 (2), 193 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель