Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и исследование p-n-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда

Калиновский В.С.¹, Лёвин Р.В.¹, Пушный Б.В.², Мизеров М.Н.², Румянцев В.Д.¹, Андреев В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 15 апреля 2013 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена новая модель соединительных элементов для монолитных многопереходных солнечных фотопреобразователей на основе соединений A^IIIB^V, где вместо туннельных p⁺⁺-n⁺⁺-переходов используются p-n-переходы с кристаллическими включениями инородного полупроводникового материала в области пространственного заряда. Исследования показали, что введение кристаллических включений в область пространственного заряда p-n-перехода в структуре на основе GaSb позволяет обеспечить прохождение тока ~50 А/см² при значениях омического сопротивления на уровне ~0.01 Ом·см². Полученные характеристики соединительных элементов с кристаллическими включениями демонстрируют возможность их использования в многопереходных солнечных элементах при преобразовании концентрированного оптического излучения.

Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
H. Karam Nasser, A. Sherif Raed, R. King Richard. Springer Ser. Optical Sci., 40, 199 (2008)
V.M. Andreev, E.A. Ionova, V.R. Larionov, V.D. Rumyantsev, M.Z. Shvarts, G. Glenn. Proc. IEEE 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (May 7-12, 2006, Hawaii) p. 799--802
V.M. Andreev, V.S. Kalinovsky, R.V. Levin, B.V. Pushniy, V.D. Rumyntsev. Proc. 24th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (September 21-25, 2009, Hamburg, Germany) p. 740
В.М. Андреев, В.В. Евстропов, В.С. Калиновский, В.М. Лантратов, В.П. Хвостиков. ФТП, 43 (5), 671 (2009)
S.-N. Wu, D. Ding, S.R. Johnson, S.-Q. Yu, Y.-H. Zhang. Prog. Photovolt: Res. Appl., 328 (2010)
Патент N RU106443U1 от 10.07.2011

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель