Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках
Зубов Ф.И.1, Шерняков Ю.М.2,1, Максимов М.В.2,1, Жуков А.Е.1, Лившиц Д.А.3, Паюсов А.С.2, Надточий А.М.2, Савельев А.В.1, Крыжановская Н.В.1, Гордеев Н.Ю.2,1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Innolume GmbH, Дортмунд, Германия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Innolume GmbH, Дортмунд, Германия
Поступила в редакцию: 15 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.
С помощью анализа спектров усиленного спонтанного излучения определен фактор спектрального уширения линии (alpha-фактор) в лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs в широком спектральном диапазоне вблизи энергии основного оптического перехода. Изучено влияние тока накачки и числа слоев квантовых точек на спектральные зависимости alpha-фактора. Впервые для лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs экспериментально определена температурная зависимость спектров alpha-фактора. Предложено объяснение наблюдавшемуся аномальному уменьшению alpha-фактора с ростом температуры.
- C.H. Henry. IEEE J. Quant. Electron., 18 (2), 259 (1982)
- A.L. Schawlow, C.H. Townes. Phys. Rev., 112 (6), 1940 (1958)
- А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
- S. Fathpour, Z. Mi, P. Bhattacharya. J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (13), 2103 (2005)
- J. Muszalski, J. Houlihan, G. Huyet, B. Corbett. Electron. Lett., 40 (7), 428 (2004)
- D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem, G. Moreau, A. Lema\^i tre, J.-G. Provost, O. Le Gouezigou, M. Fischer, I. Krestnikov, A.R. Kovsh, A. Ramdane. Electron. Lett., 43 (4), 222 (2007)
- S. Melnik, G. Huyet, A. Uskov. Opt. Express, 14 (7), 2950 (2006)
- K.C. Kim, I.K. Han, J.I. Lee, T.G. Kim. Nanotechnology, 21 (13), 134 010 (2010)
- S. Ghosh, S. Pradhan, P. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett., 81 (16), 3055 (2002)
- P.K. Kondratko, S.-L. Chuang, G. Walter, T. Chung, N. Holonyak. Appl. Phys. Lett., 83 (23), 4818 (2003)
- I.D. Henning, J.V. Collins. Electron. Lett., 19 (22), 927 (1983)
- C. Harder, K. Vahala, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 42 (4), 328 (1983)
- A. Villafranca, J.A. Lazaro, I. Salinas, I. Garces. IEEE Phot. Techn. Lett., 17 (11), 2268 (2005)
- F. Devaux, Y. Sorel, J.F. Kerdiles. J. Lightwave Technol., 11 (12), 1937 (1993)
- B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 44 (9), 4113 (1973)
- A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. J. Cryst. Growth, 251 (1--4), 729 (2003)
- D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem, A. Ramdane, J.-G. Provost, M. Fischer, I. Krestnikov, A. Kovsh. Appl. Phys. Lett., 92 (19), 191 109 (2008)
- А.Е. Жуков, А.В. Савельев, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Е.М. Аракчеева, Ф.И. Зубов, А.А. Красивичев, Н.В. Крыжановская. ФТП, 46 (2), 235 (2012)
- A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shemyakov, M.V Maximov, D.A. Livshits, VM. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38 (19), 1104 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
