Вышедшие номера
Гальваномагнитные свойства в анизотропных слоистых пленках на основе халькогенидов висмута
Russian Foundation for Basic Research , Competition for the best projects of fundamental scientific research for 2020 Competition code: a, 20-08-00464
Усов О.А. 1, Лукьянова Л.Н. 1, Волков М.П. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: oleg.usov@mail.ioffe.ru, lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 28 августа 2021 г.
Принята к печати: 28 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.

В анизотропных слоистых пленках многокомпонентного твердого раствора n-Bi1.92In0.02Te2.85Se0.15 в сильных магнитных полях от 2 до 14 Tл при низких температурах проведено исследование квантовых осцилляций магнетосопротивления, связанных с поверхностными состояниями электронов в 3D топологических изоляторах. Из анализа спектрального распределения амплитуд квантовых осцилляций магнетосопротивления определены основные параметры поверхностных состояний фермионов Дирака. Проведено сравнение результатов с данными, полученными методом сканирующей туннельной спектроскопии. Показано, что высокая поверхностная концентрация определяет вклад поверхностных состояний фермионов Дирака в термоэлектрические свойства пленок n-Bi1.92In0.02Te2.85Se0.15. Ключевые слова: теллурид висмута, пленки, твердые растворы, топологический изолятор, осцилляции магнетосопротивления.