Вышедшие номера
Исследование фазового состава интерфейсного слоя, полученного при горячем прессовании Cr и Si
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.14.53848.03
Соломкин Ф.Ю.1, Самунин А.Ю.1, Зайцева Н.В.1, Шаренкова Н.В.1, Исаченко Г.Н.1, Новиков С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: f.solomkin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 28 августа 2021 г.
Принята к печати: 28 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.

Исследована возможность синтеза слоев среднетемпературного термоэлектрика CrSi2 методом горячего прессования исходных компонентов (Cr и Si). Методом рентгеновской дифрактометрии исследован фазовый состав образцов, полученных горячим прессованием Cr и Si до и после отжига в области границы их соприкосновения. Показано, что при определенных условиях на границе раздела Cr и Si возможен низкотемпературный синтез слоя CrSi2 толщиной от 50 до 300 мкм. Синтез происходит при температуре, значительно ниже приведенной в диаграмме состояния, что открывает новые технологические возможности для получения соединения CrSi2. Ключевые слова: термоэлектрики, дисилицид хрома, граница раздела фаз, рентгеновский фазовый анализ.