Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 12 » Статья стр. 1218
<<<>>>
Высокоэффективные (EQE=37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51709.9711
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.14.53866.9711
Малевская А.В. 1, Калюжный Н.А. 1, Минтаиров С.А. 1, Салий Р.А. 1, Малевский Д.А. 1, Нахимович М.В.1, Ларионов В.Р. 1, Покровский П.В. 1, Шварц М.З. 1, Андреев В.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, mintairov@scell.ioffe.ru, r.saliy@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, NMar@mail.ioffe.ru, larionov@scell.ioffe.rssi.ru, P.pokrovskiy@mail.ioffe.ru, shvarts@scell.ioffe.ru, vmandreev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2021 г.
Принята к печати: 2 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.
PDF версия
Разработаны и исследованы инфракрасные (850 нм) светодиоды на основе AlGaAs/Ga(In)As-гетероструктур, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, включающие множественные InGaAs квантовые ямы в активной области, и двойной оптический отражатель, включающий брэгговскую многослойную Al0.9Ga0.1As/Al0.1Ga0.9As-гетероструктуру и зеркальный слой серебра. Изготовлены светодиоды с внешней квантовой эффективностью EQE=37.5% при плотности тока >10 А/см2. Ключевые слова: инфракрасный светодиод, AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, брэгговский отражатель, квантовые ямы InGaAs.
  1. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, Б.В. Егоров, Б.В. Пушный, Л.Т. Чичуа. ФТП, 48 (4), 809 (1978)
  2. А.Л. Закгейм, В.М. Марахонов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 6 (17), 1034 (1980)
  3. Электронный ресурс АО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов". https://www.niipp.ru/
  4. Электронный ресурс "EPISTAR сorporation". https://www.epistar.com/EpistarEn/prodInfo
  5. Peng Bai, Yueheng Zhang, Tianmeng Wang, Zhiwen Shi, Xueqi Bai, Chaoying Zhou, Yaning Xie, Lujie Du, Mengting Pu, Zhanglong Fu, Juncheng Cao, Xuguang Guo, Wenzhong Shen. Semicond. Sci. Technol., 35 (3), 035021 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab6dbf
  6. Su-Chang Ahn, Byung-Teak Lee, Won-Chan An, Dae-Kwang Kim, In-Kyu Jang, Jin-Su So, Hyung-Joo Lee. J. Korean Phys. Soc., 69 (1), 91 (2016)
  7. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, А.Н. Паньчак, П.В. Покровский, Н.С. Потапович, В.М. Андреев. ФТП, 55 (7), 614 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.07.51028.9646
  8. E. Fred Shubert. Light-emitting diodes (second ed.), (Cambridge University Press, 2006)
  9. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51143.9665
  10. В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, М.В. Нахимович, Р.А. Салий, М.З. Шварц. ФТП, 54 (4), 400 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.04.49148.9321
  11. K. Tai, L. Yang, Y.H. Wang, J.D. Wynn, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 56, 2496 (1990). DOI: 10.1063/1.10286
  12. F.A.I. Chaqmaqchee, S. Mazzucato, Y. Sun, N. Balkan, E. Tiras, M. Hugues, M. Hopkinson. Mater. Sci. Engin. B, 177, 739 (2012). DOI: 10.1016/j.mseb.2011.12

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme