Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние электронного (зарядового) состояния E-ловушек на эффективность их накопления в n-GaAs при облучении
Брудный В.Н.1, Пешев В.В.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
При высокоэнергетическом радиационном воздействии в интервале 77-580 K выявлена сложная температурная зависимость эффективности накопления E-ловушек в нейтральной области и области пространственного заряда диодов Шоттки на основе n-GaAs при энергиях атомов отдачи, близких к пороговым энергиям образования радиационных дефектов. Количественно экспериментальные данные описаны в рамках модели метастабильной пары Френкеля, в которой учтены процессы аннигиляции, перезарядки и стабилизации пары Френкеля в материале в зависимости от электронного (зарядового) состояния ее компонент, определяемого положением уровня (квазиуровня) Ферми и температурой образца.
- Л.С. Смирнов. Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977)
- D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18 (20), 3839 (1985)
- L.W. Aukerman, R.D. Graft. Phys. Rev., 127, 1576 (1962)
- L.W. Aukerman. Semiconductor and semimetals, ed. by R.K. Willardson, A.C. Bear. 4, 343, Academic Press, N. Y. (1968)
- D. Pons. Def. Rad. Effects Semicond. 1980 (Inst. Phys. Conf. N 59, Bristol--London), 269 (1981)
- А.П. Мамонтов, В.В. Пешев, И.П. Чернов. ФТП, 16 (12), 2126 (1982)
- S.L. Pearton, A.J. Tavendale. Phys. St. Sol. (a), 73, K75 (1982)
- А.П. Мамонтов, В.В. Пешев. ФТП, 19 (1), 147 (1985)
- G.K. Wertheim. Phys. Rev., 115 (3), 568 (1959)
- J.W. Mackay, E.E. Klontz. In: Rad. Effects Semicond. N.Y. Plenym Press. 175 (1968)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
- L.H. Lim, Y.J. von Bardeleben, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. Lett., 58, 2315 (1987)
- G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. Lett., 55, 1327 (1985)
- P. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C, 38, 7839 (1985)
- S. Loualiche, G. Guiillot, A. Nouilhat, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 26 (12), 7090 (1982)
- J.W. Corbett, J.C. Bourgoin, W.C. Weigel. Inst. Phys. Conf. Ser. N 16, 1 (1973)
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
- D. Pons, J.C. Bruemer. Phys. Rev. Lett., 47, 1293 (1981)
- А.П. Мамонтов, В.В. Пешев. ФТП, 17 (10), 1771 (1983)
- V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (b), 118 (1), 219 (1990)
- D. Stievenard, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B., 33, 8410 (1986)
- V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (a), 105, K57 (1988)
- H.J. von Bardeleben, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 38, 2800 (1980)
- V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B (Amsterdam), 202, 429 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
