Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 1 » Статья стр. 85
<<<>>>
Влияние атмосферы отжига на люминесцентные характеристики CVD-ZnSe
DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51817.9731
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.01.53022.9731
Калинушкин В.П.1, Гладилин А.А.1, Уваров О.В.1, Миронов С.А.1, Чапнин В.А.1, Студеникин М.И.1, Ильичев Н.Н.1, Гаврищук Е.М.2, Родин С.А.2, Тимофеева Н.А.2
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: serge2016@yandex.ru
Поступила в редакцию: 20 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 27 августа 2021 г.
Принята к печати: 27 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
PDF версия
Исследуется влияние атмосферы отжигов CVD-ZnSe, проводимых в режимах, близких к процедуре их легирования железом, на люминесцентные характеристики этих кристаллов. Обнаружено, что отжиги в атмосфере аргона и селена приводят к качественному изменению примесно-дефектного состава и к сложному пространственному распределению люминесцентных характеристик CVD-ZnSe, особенно в области кристалла на расстоянии до 400 мкм от поверхности. В случае отжига цинка его люминесцентные характеристики более однородны, за исключением приповерхностной зоны шириной ~100 мкм, имеющей высокую интенсивность люминесценции во всем исследуемом спектральном диапазоне (0.44-0.72 мкм). Полученные результаты интерпретируются на основе предположения об испарении цинка при отжиге в аргоне и селене. На основе анализа пространственного распределения люминесценции делаются предположения о природе наблюдаемых примесно-дефектных центров. Ключевые слова: двухфотонная конфокальная микроскопия, CVD-ZnSe, примесно-дефектный состав, высокотемпературный отжиг.
  1. S.B. Mirov, V.V. Fedorov, D. Martyshkin, I.S. Moskalev, M. Mirov, S. Vasilyev. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 21 (1), (2015)
  2. S. Vasilyev, I. Moskalev, M. Mirov, V. Smolski, D. Martyshkin, V. Fedorov, S. Mirov, V. Gapontsev. Proc. of SPIE, Ultrafast Bandgap Photonics II (Anaheim, California, US, 2017) v. 10193
  3. S.V. Kurashkin, O.V. Martynova, D.V. Savin, E.M. Gavrishchuk, S.S. Balabanov, V.B. Ikonnikov, V.V. Sharkov. Phys. Lett., 16, 075801 (2019)
  4. A.A. Gladilin, E.S. Gulyamova, V.P. Danilov, N.N. Il'ichev, V.P. Kalinushkin, I.N. Odin, P.P. Pashinin, R.R. Rezvanov, A.V. Sidorin, M.I. Studenikin, V.A. Chapnin, M.V. Chukichev. Quant. Electron., 46 (6), 545 (2016)
  5. N.N. Il'ichev, A.A. Gladilin, E.S. Gulyamova, V.P. Kalinushkin, S.A. Mironov, A.V. Sidorin, P.P. Pashinin, V.V. Tumorin, E.M. Gavrishchuk, D.V. Savin, S.A. Rodin, V.B. Ikonnikov, M.V. Chukichev. Quant. Electron., 50, (8) 730, (2020)
  6. O. Gafarov, A. Martinez, V. Fedorov, S. Mirov. Optical Mater. Express, 7 (1), 25 (2017)
  7. S.A. Rodin, E.M. Gavrishchuk, V.B. Ikonnikov, D.V. Savin. Inorg. Mater., 54 (1), 21 (2018)
  8. N.A. Timofeeva, E.M. Gavrishchuk, D.V. Savin, S.A. Rodin, S.V. Kurashkin, V.B. Ikonnikov, T.S. Tomilova. Inorg. Mater., 55, 1274 (2019)
  9. D.D. Nedeoglo, A.V. Simashkevich. Electric and Luminescent Properties of Zinc Selenide (Kishinev, Shtiintsa, 1984)
  10. Yu.F. Vaksman Yu.A. Nitsuk, V.V. Yatsun, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin. Semiconductors, 45, 1129, (2011)
  11. G. Colibaba, M. Caraman, I. Evtodiev, S. Evtodiev, E. Goncearenco, D. Nedeoglo, N. Nedeoglo. J. Luminesc., 145, 237 (2014)
  12. I. Abbasov, M. Musayev, J. Huseynov, M. Kostyrko, S. Babayev, G. Eyyubov, S. Aliyeva. Ukr. J. Phys. Opt., 21 (2), 103 (2020)
  13. В.П. Калинушкин, О.В. Уваров. ЖТФ, 86 (12), 119 (2016)
  14. V.P. Kalinushkin, O.V. Uvarov, A.A. Gladilin, J. Electron. Mater., 47, 5087 (2018)
  15. Н.К. Морозова, Е.М. Гаврищук, И.А. Каретников, О.Р. Голованова, В.С. Зимогорский, В.Г. Галстян. ЖПС, 63 (5), 731 (1996)
  16. A. Gladilin, O. Uvarov, S. Mironov, N. Timofeeva, E. Gavrischuk, V. Kalinushkin. Acta Phys. Polon. A, 136 (4), 637, (2019)
  17. S. Balabanov, E.M. Gavrishchuk, A.A. Gladilin,V.B. Ikonnikov, N.N. Il'ichev, V.P. Kalinushkin, S.A. Mironov, D.V. Savin, M.I. Studenikin, N.A. Timofeeva, O.V. Uvarov, V.A. Chapnin. Inorg. Mater., 55 (5), 423, (2019)
  18. V.P. Kalinushkin, O.V. Uvarov, S.A. Mironov, K. Nartov, N.N. Il'ichev, M.I. Studenikin, E.M. Gavrischuk, N.A. Timofeeva, S.A. Rodin, A.A. Gladilin. J. Luminesc., 231, 117795 (2021)
  19. Е.М. Гаврищук, А.А. Гладилин, В.П. Данилов, В.Б. Иконников, Н.Н. Ильичев, В.П. Калинушкин, А.В. Рябова, М.И. Студеникин, Н.А. Тимофеева, О.В. Уваров, В.А. Чапнин. Неорг. матер., 52 (11), 1180 (2016)
  20. С.А. Медведев, В.Н. Мартынов, С.П. Кобелева, Н.Д. Ахмед-Заде. Электр. техн., сер. Материалы, вып. 11, 87 (1980)
  21. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук. ФТП, 35 (5), 534 (2001)
  22. S. Kishida, K. Matsuura, H. Mori, T. Yanagawa, I. Tsurumi, C. Hamaguchi. Phys. Status Solidi A, 106, 283 (1988)
  23. K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins. Sol. St. Commun., 35 (7), 527, (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme