Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si : H
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2Гиредмет, Москва, Россия
2Гиредмет, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Исследовано влияние подсветки на изотермическую релаксацию медленных фотоиндуцированных метастабильных дефектов (метастабильных электрически активных атомов примеси) в пленках a-Si : H, легированных бором. Было установлено, что при наличии подсветки кинетику релаксации этих метастабильных дефектов определяют не только процессы термического отжига и фотоиндуцированного образования, но и процесс фотоиндуцированного отжига.
- D. Redfield. Appl. Phys. Lett., 52, 492 (1988)
- R. Meaudre, M. Meaudre. Phys. Rev. B, 45, 12 134 (1992)
- H. Gleskova, P.A. Morin, S. Wagner. Appl., Phys. Lett., 62, 2063 (1993)
- H. Gleskova, S.N. Bullock, S. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 183 (1993)
- X.M. Dong, H. Fritzsche. Phys. Rev. B, 36, 9778 (1987)
- И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт, Д.В. Сенашенко. ФТП, 31, 1455 (1997)
- J.K. Rath, W. Fuhs, H. Mell. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 279 (1991)
- S. Sheng, X. Liao, G. Kong. Appl. Phys. Lett., 78, 2509 (2001)
- A.G. Kazanskii, I.A. Kurova, N.N. Ormont, I.P. Zvyagin. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 306 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
