Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

U-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ)

Брудный В.Н.¹, Пешев В.В.²

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 23 апреля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована причина появления широкой U-полосы в спектрах, полученных методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) n-GaAs, облученного протонами (65 МэВ) и быстрыми нейтронами. Показано, что данная полоса предположительно является суперпозицией двух пиков, сформированных известными в GaAs дефектами P2 и P3 в пределах скоплений дефектов. Проведены расчеты спектров DLTS с учетом неоднородного распределения этих дефектов в образце и встроенных электрических полей, обусловленных этими неоднородностями.

G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
A. Goltzene, B. Meyer, C. Schwab. Appl. Phys. Lett., 54 (10), 907 (1989)
S. Makram--Ebeid, P. Boher. Mater. Sci., 10/12, 1075 (1986)
В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, В.А. Новиков, А.И. Нойфех, В.В. Пешев. ФТП, 31 (7), 811 (1997)
R. Magno, M. Spencer, J.G. Giessner, E.R. Weber. Abstracts 13th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Coronado, California, 1984) p. 981
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B: Condens. Matter., 212, 429 (1995)
D. Stievenard, J.C. Bourgoin, M.J. Lannoo. Appl. Phys., 55, 1447 (1984)
В.А. Новиков, В.В. Пешев. ФТП, 32, 411 (1998)
В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. ФТП, 27, 260 (1993)
D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C.: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
R. Coates, E.W.J. Mitchell. Adv. Phys., 24, 593 (1975)
C.E. Barnes, T.E. Zipperian, L.R. Dawson. J. Electron. Mater., 14, 95 (1985)
В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. Изв. вузов. Физика, 35 (10), 57 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель