Вышедшие номера
U-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ)
Брудный В.Н.1, Пешев В.В.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 23 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Исследована причина появления широкой U-полосы в спектрах, полученных методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) n-GaAs, облученного протонами (65 МэВ) и быстрыми нейтронами. Показано, что данная полоса предположительно является суперпозицией двух пиков, сформированных известными в GaAs дефектами P2 и P3 в пределах скоплений дефектов. Проведены расчеты спектров DLTS с учетом неоднородного распределения этих дефектов в образце и встроенных электрических полей, обусловленных этими неоднородностями.