Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 2 » Статья стр. 236
<<<>>>
Исследование подвижности носителей заряда в слоях нанокристаллов PBS методом полевого транзистора
DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51968.9734
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.02.53049.9734
Российский научный фонд, 19-13-00332
Парфенов П.С. 1, Бухряков Н.В.1, Онищук Д.А.1, Бабаев А.А. 1, Соколова А.В.1, Литвин А.П.1
1Университет ИТМО, Центр "Информационные оптические технологии", Санкт-Петербург, Россия
Email: qrspeter@gmail.com
Поступила в редакцию: 1 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 15 октября 2021 г.
Принята к печати: 15 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 22 ноября 2021 г.
PDF версия
Методом полевого транзистора исследуется подвижность носителей зарядов в слоях нанокристаллов сульфида свинца с лигандами тетрабутиламмония иодида и 1,2-этандитиола, используемых для создания солнечных элементов. Демонстрируется отличие режима работы транзистора на воздухе от работы в условиях инертной среды. Показано, что на открытом воздухе активизируются процессы зарядки нанокристаллов при протекании тока, проанализировано влияние поляризации интерфейса нанокристаллов и изолятора на измерение подвижности. Продемонстрирована разная реакция слоев с лигандами на свет, показывающая существенное окисление поверхности нанокристаллов, обработанных 1,2-этандитиолом. Ключевые слова: солнечные элементы, ловушечные состояния, фотопроводимость.
  1. Y. Liu, M. Gibbs, J. Puthussery, S. Gaik, R. Ihly, H.W. Hillhouse, M. Law. Nano Lett., 10, 1960 (2010)
  2. P.R. Brown, D. Kim, R.R. Lunt, N. Zhao, M.G. Bawendi, J.C. Grossman, V. Bulovic. ACS Nano, 8, 5863 (2014)
  3. W. Gao, G. Zhai, C. Zhang, Z. Shao, L. Zheng, Y. Zhang, Y. Yang, X. Li, X. Liu, B. Xu. RSC Adv., 8, 15149 (2018)
  4. A.P. Litvin, P.S. Parfenov, E.V. Ushakova, A.V. Fedorov, M.V. Artemyev, A.V. Prudnikau, V.V. Golubkov, A.V. Baranov. J. Phys. Chem. C, 117, 12318 (2013)
  5. I.D. Skurlov, I.G. Korzhenevskii, A.S. Mudrak, A. Dubavik, S.A. Cherevkov, P.S. Parfenov, X. Zhang, A.V. Fedorov, A.P. Litvin, A.V. Baranov. Materials (Basel), 12, 3219 (2019)
  6. J.M. Luther, M. Law, Q. Song, C.L. Perkins, M.C. Beard, A.J. Nozik. ACS Nano, 2, 271 (2008)
  7. A.A. Babaev, P.S. Parfenov, D.A. Onishchuk, A. Dubavik, S.A. Cherevkov, A.V. Rybin, M.A. Baranov, A.V. Baranov, A.P. Litvin, A.V. Fedorov. Materials (Basel), 12, 4221 (2019)
  8. I.G. Korzhenevskii, D.A. Onishchuk, A.A. Babaev, A. Dubavik, P.S. Parfenov, A.P. Litvin. Semiconductors, 53, 1946 (2019)
  9. L. Hu, A. Mandelis, X. Lan, A. Melnikov, S. Hoogland, E.H. Sargent. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 155, 155 (2016)
  10. X. Yang, L. Hu, H. Deng, K. Qiao, C. Hu, Z. Liu, S. Yuan, J. Khan, D. Li, J. Tang, H. Song, C. Cheng. Nano-Micro Lett., 9, 24 (2017)
  11. H. Wang, S. Yang, Y. Wang, J. Xu, Y. Huang, W. Li, B. He, S. Muhammad, Y. Jiang, Y. Tang, B. Zou. Org. Electron., 42, 309 (2017)
  12. V. Podzorov. MRS Bull., 38, 15 (2013)
  13. J. Chang, Z. Lin, C. Zhang, Y. Hao. In: Differ. Types Field-Effect Transistors-Theory Appl. (InTech, 2017)
  14. V. Podzorov, M.E. Gershenson, C. Kloc, R. Zeis, E. Bucher. Appl. Phys. Lett., 84, 3301 (2004)
  15. H.H. Choi, K. Cho, C.D. Frisbie, H. Sirringhaus, V. Podzorov. Nature Materials, 17, 2 (2018)
  16. C. Perez-Fuster, J.V. Lidon-Roger, L. Contat-Rodrigo, E. Garci a-Breijo. J. Sensors, 2018, 1 (2018)
  17. Y.Y. Illarionov, G. Rzepa, M. Waltl, T. Knobloch, A. Grill, M.M. Furchi, T. Mueller, T. Grasser. 2D Mater., 3, 035004 (2016)
  18. A. Daus, C. Vogt, N. Munzenrieder, L. Petti, S. Knobelspies, G. Cantarella, M. Luisier, G.A. Salvatore, G. Troster. IEEE Trans. Electron Dev., 64, 2789 (2017)
  19. M.I. Nugraha, R. Hausermann, S.Z. Bisri, H. Matsui, M. Sytnyk, W. Heiss, J. Takeya, M.A. Loi. Adv. Mater., 27, 2107 (2015)
  20. M.I. Nugraha, H. Matsui, S.Z. Bisri, M. Sytnyk, W. Heiss, M.A. Loi, J. Takeya. APL Mater., 4, 116105 (2016)
  21. M.A. Hines, G.D. Scholes. Adv. Mater., 15, 1844 (2003)
  22. M.J. Speirs, D.N. Dirin, M. Abdu-Aguye, D.M. Balazs, M.V. Kovalenko, M.A. Loi. Energy Environ. Sci., 9, 2916 (2016)
  23. S.Z. Bisri, C. Piliego, M. Yarema, W. Heiss, M.A. Loi. Adv. Mater., 25, 4309 (2013)
  24. K. Lu, Y. Wang, Z. Liu, L. Han, G. Shi, H. Fang, J. Chen, X. Ye, S. Chen, F. Yang, A.G. Shulga, T. Wu, M. Gu, S. Zhou, J. Fan, M.A. Loi, W. Ma. Adv. Mater., 30, 1707572 (2018)
  25. Q. Lin, H. J. Yun, W. Liu, H.-J. Song, N.S. Makarov, O. Isaienko, T. Nakotte, G. Chen, H. Luo, V.I. Klimov, J.M. Pietryga. J. Am. Chem. Soc., 139, 6644 (2017)
  26. A.P. Litvin, I.D. Skurlov, I.G. Korzhenevskii, A. Dubavik, S.A. Cherevkov, A.V. Sokolova, P.S. Parfenov, D.A. Onishchuk, V.V. Zakharov, E.V. Ushakova, X. Zhang, A.V. Fedorov, A.V. Baranov. J. Phys. Chem. C, 123, 3115 (2019)
  27. Y. Aoyagi, K. Masuda, S. Namba. J. Appl. Phys., 43, 249 (1972)
  28. P. Irkhin, H. Najafov, V. Podzorov. Sci. Rep., 5, 15323 (2015)
  29. J.L. Peters, J.C. van der Bok, J.P. Hofmann, D. Vanmaekelbergh. Chem. Mater., 31, 5808 (2019)
  30. D. Bederak, D.M. Balazs, N.V. Sukharevska, A.G. Shulga, M. Abdu-Aguye, D.N. Dirin, M.V. Kovalenko, M.A. Loi. ACS Appl. Nano Mater., 1, 6882 (2018)
  31. R. D. Septianto, L. Liu, F. Iskandar, N. Matsushita, Y. Iwasa, S.Z. Bisri. NPG Asia Mater., 12, 33 (2020)
  32. K.S. Jeong, J. Tang, H. Liu, J. Kim, A.W. Schaefer, K. Kemp, L. Levina, X. Wang, S. Hoogland, R. Debnath, L. Brzozowski, E.H. Sargent, J.B. Asbury. ACS Nano, 6, 89 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme