Вышедшие номера
Особенности определения концентраций мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров краевой люминесценции
Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Приведены аналитические выражения для нормированных низкотемпературных (T=1.8-4.2 K) интенсивностей полос люминесценции, обусловленных рекомбинацией свободных электронов на мелких акцепторах, свободных дырок на мелких донорах, а также электронными переходами в донорно-акцепторных парах и связанных экситонах. Проанализированы различные возможности их использования для определения изменений концентраций мелких акцепторов и доноров при внешних воздействиях F. Проведено сравнение теоретических и используемых на опыте зависимостей нормированных низкотемпературных интенсивностей полос примесной, межпримесной и экситонной люминесценции от величины F.