Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs / GaAs в условиях газофазной эпитаксии
Дроздов Ю.Н.1, Байдусь Н.В.2, Звонков Б.Н.2, Дроздов М.Н.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Исследовано распределение атомов индия в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs / GaAs, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Экспериментальные профили распределения индия были получены методом оже-электронной спектрометрии. Для вычисления профилей использовалась модель роста с учетом сегрегации индия и модель оже-профилирования. Согласование вычисленных и экспериментальных профилей позволило оценить энергии активации процессов обмена In-Ga в рамках кинетической модели сегрегации. Полученные значения оказались несколько выше, чем известные для молекулярно-пучковой эпитаксии, что связано со стабилизацией ростовой поверхности атомами водорода в газофазном реакторе.
- K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 61, 557 (1992)
- H. Toyoshima, T. Niwa, J. Yamazaki, A. Okmato. Appl. Phys. Lett., 63, 821 (1993)
- P. Yashar, M.R. Pillai, J. Mirecki-Millunchik, S.A. Barnett. J. Appl. Phys., 83, 2010 (1998)
- M.R. Pillai, S.-S. Kim, S.T. Ho, S.A. Barnett. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1232 (2000)
- K.-J. Chao, N. Liu, C.-K. Shih. Appl. Phys. Lett., 75, 1703 (1999)
- O. Dehaese, X. Wallart, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 66, 52 (1995)
- Y.-J. Zheng, A.M. Lam, J.R. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 75, 817 (1999)
- M. Sato, Y. Horikoshi. J. Appl. Phys., 69, 7697 (1991)
- F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 183, 511 (1998)
- A.A. Marmalyuk, O.I. Govorkov, A.V. Petrovsky, D.B. Nikitin, A.A. Padalitsa, P.V. Bulaev, I.V. Budkin, I.D. Zalevsky. Proc. 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2001) p. 63
- S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov. Proc 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2001) p. 47
- T.S. Yeoh, R.B. Swint, A.E. Huber, S.D. Roh, C.Y. Woo, K.E. Lee. Appl. Phys. Lett., 79,221 (2001)
- J.A. Gupta, S.P. Watkins, A.D. Crozier, J.C. Woicik, D.A. Harrison, D.T. Jiang, I.J. Pickering, B. A. Karlin. Phys. Rev. B, 61, 2073 (2000)
- Т.С. Бабушкина, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, В.Н. Портнов. Изв. РАН. Сер. Неорг. матер., 28 (2), 299 (1992)
- А.А. Бирюков, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, В.Я. Алешкин, В.Н. Шастин. Материалы совещания Нанофотоника" (Н. Новгород, 26--29 марта 2001) с. 98
- М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Д.В. Мастеров, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Письма ЖТФ, 22 (18), 61 (1996)
- S. Hoffman. Rep. Progr. Phys., 61, 827 (1998)
- Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, Д.В. Мастеров, Л.Д. Молдавская. Материалы совещания "Нанофотоника" (Н. Новгород, 20--23 марта 2000) с. 246
- J.M. Garcia, J.P. Silveira, F. Briones. Appl. Phys. Lett., 77, 409 (2000)
- Ю.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Тез. докл. 5-й Росс. конф. по физике полупроводников (Н. Новгород, 10--14 сент. 2001) т. 2, с. 324
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
